[发明专利]再制造过程中的活塞杆表面的硬质PVD修复镀层及其制备方法

权利要求书

1.一种活塞杆表面的硬质PVD修复镀层，其特征在于：是以气密性检测不良的活塞杆基体（3）表面的原有电镀层（2）作为所述金属镀层（1）的受镀面并在所述原有电镀层（2）上利用PVD方法沉积制备的一层金属镀层（1），使所述金属镀层（1）修补气密性检测不合格的活塞杆电镀层（2）表面的物理损伤缺陷，并使所述金属镀层（1）与所述原有电镀层（2）结合为一体，所述金属镀层（1）材料是能与所述原有电镀层（2）致密结合的金属材料。

2.根据权利要求1所述活塞杆表面的硬质PVD修复镀层，其特征在于：所述金属镀层（1）的材料与所述原有电镀层（2）材料一致。

3.根据权利要求2所述活塞杆表面的硬质PVD修复镀层，其特征在于：所述金属镀层（1）与所述原有电镀层（2）材料皆为金属Cr。

4.根据权利要求1~3中任意一项所述活塞杆表面的硬质PVD修复镀层，其特征在于：所述金属镀层（1）的厚度为3~5μm。

5.一种再制造过程中的活塞杆表面的硬质PVD修复镀层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a.活塞杆表面前处理：对气密性检测不合格的活塞杆原有电镀层分别用丙酮和酒精进行超声波清洗，对活塞杆表面清理，使活塞杆原有电镀层表面光洁；

b.活塞杆的电镀层表面的刻蚀处理：将经过所述步骤a前处理的活塞杆置入磁控溅射装置腔体内，抽取真空直至真空度达到至少为2.00×10^-5Torr，再向磁控溅射装置腔体内通入氩气，将偏压调至-500V，使具有高密度高能量的粒子对活塞杆原有电镀层表面进行清洗刻蚀，将活塞杆原有电镀层表面上的污染物溅射下来，净化后的活塞杆原有电镀层表面作为受镀面备用；

c.活塞杆表面非平衡磁控溅射气相沉积工艺：在磁控溅射装置腔体内，通过磁场控制，在经过所述步骤b净化后的活塞杆原有电镀层表面上进行金属镀层的沉积，采用能与活塞杆表面原有电镀层材料致密结合的金属材料作为靶材，将偏压调至60~80V，靶材电流在4~6A，当沉积金属镀层进行1.5~2.5h后或当沉积的金属镀层的厚度达到3~5μm后完成气相沉积，将活塞杆冷却至室温后，打开真空炉腔体将活塞杆取出，即在活塞杆原有电镀层之上再制备形成一层金属镀层。

6.根据权利要求5所述再制造过程中的活塞杆表面的硬质PVD修复镀层的制备方法，其特征在于：在所述步骤b中，在对活塞杆的电镀层表面进行刻蚀处理时，通入氩气后使装置真空度达到至少为3×10^-3Torr。

7.根据权利要求5或6所述再制造过程中的活塞杆表面的硬质PVD修复镀层的制备方法，其特征在于：在所述步骤c中，所述靶材选用的材料与活塞杆原有电镀层材料一致，从而在活塞杆原有电镀层之上制备与原有电镀层材料相同的金属镀层。

8.根据权利要求7所述再制造过程中的活塞杆表面的硬质PVD修复镀层的制备方法，其特征在于：在所述步骤c中，当活塞杆原有电镀层材料为金属Cr时，所述靶材选用的材料亦为金属Cr。