[发明专利]一种用于酒精检测的陶瓷气敏传感器有效

专利信息
申请号: 201510306039.0 申请日: 2015-06-03
公开(公告)号: CN104977320B 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 胡齐放 申请(专利权)人: 安徽兰兮工程技术开发有限公司
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 246000 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 酒精 检测 陶瓷 传感器
【说明书】:

技术领域

发明涉及气敏传感器领域,具体涉及一种用于酒精检测的陶瓷气敏传感器。

背景技术

半导体陶瓷气敏传感器可以用于分析气体中酒精蒸汽的含量,常用于酒驾检测。半导体陶瓷气敏传感器主要由基体以及基体表面设置的加热材料层、电极和气敏材料层。为了避免酒精检测时受环境中的其他气体影响,因此一般在气敏材料层中掺杂镧、锰等元素,用以提高气敏材料层对酒精气体的感应灵敏度。但是,随着研究的深入,镧元素掺杂会使得传感器的初始电阻过大,对信号分析元器件的运行产生影响,影响信号的传输。因此,有必要提供一种自然状态下电阻值较低的气敏传感器。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于酒精检测的陶瓷气敏传感器,其可有效解决上述问题,初始电阻值小而且对酒精的灵敏度高。

为实现上述方案,本发明采用如下技术方案进行实施:

一种用于酒精检测的陶瓷气敏传感器,其特征在于:包括半导体陶瓷基体以及半导体陶瓷基体上设置的加热材料层、电极和气敏材料层;所述的气敏材料层采用如下方法得到:

将0.003g三氧化二锑和0.5g氧化锌溶于5ml盐酸溶液中配置成盐溶液,将8g氯化锡溶于35ml乙醇中制成氯化锡乙醇溶液,将盐溶液在搅拌条件下加入氯化锡乙醇溶液中混匀反应,随后加入适量螯合剂并滴加氨水调节PH至9.5;过滤回收沉淀物并利用乙醇对沉淀物进行洗涤,洗涤后烧结得到掺杂的 纳米粉体;称取0.02~0.05g三氧化二钇、0.18~0.25g三氧化二镧、100g上述制取的掺杂的纳米粉体和25ml水混匀研磨成气敏浆料,将半导体陶瓷基体依次用去离子水、丙酮、氯仿洗涤干净,烘干后将气敏浆料涂覆至半导体陶瓷基体的表面形成气敏材料层。

通过调配锡、锌、镧比例的变化,提高气敏材料层对酒精的敏感性,提高酒精检测的灵敏度;另外,通过引入锑、钇,使得气敏材料层的电阻率大大降低,保证信号分析元器件的可靠运行。

具体实施方式

为了使本发明的目的及优点更加清楚明白,以下结合实施例对本发明进一步进行详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

实施例1:

将0.003g三氧化二锑和0.5g氧化锌溶于5ml盐酸(45%)溶液中配置成盐溶液,将8g氯化锡溶于35ml乙醇(70%)中制成氯化锡乙醇溶液,将盐溶液在搅拌条件下加入氯化锡乙醇溶液中常温混匀反应1h,随后加入适量螯合剂(如0.06g聚甲基丙烯酸)并滴加氨水调节PH至9.5;过滤回收沉淀物并利用乙醇对沉淀物进行洗涤,洗涤后先80℃烘干、然后550℃烧结得到掺杂的纳米粉体。称取0.02~0.05g三氧化二钇、0.18~0.25g三氧化二镧、100g上述制取的掺杂的纳米粉体和25ml水混匀在球磨机中研磨成气敏浆料,将氧化铝陶瓷管依次用去离子水、丙酮、氯仿洗涤干净,烘干后在氧化铝陶瓷管内部涂覆钌电阻浆料,陶瓷管外部涂气敏浆料,陶瓷管外表面附设金电极、两端由铂金丝引出电极,焊接、封装后得到陶瓷气敏传感器。

对上述陶瓷气敏传感器性能进行检测并与对照传感器进行比较,实施例1 中得到的气敏传感器与对照传感器除气敏材料层组成不一样,其余的实施方式均一致,气敏传感器的工作温度为280℃;对照传感器中气敏材料层组成为镧、锡,比较的结果具体如下:

相同型号尺寸大小的陶瓷管,实施例1中气敏传感器在自然状态下的初始电阻仅为0.8MΩ,而对照传感器在自然状态下的初始电阻达125MΩ;实施例1中气敏传感器对1000ppm的乙醇和一氧化碳的响应灵敏度分别为61.2和2.45;对照传感器对1000ppm的乙醇和一氧化碳的响应灵敏度分别为54.5和8.74;实施例1中气敏传感器对250ppm的乙醇和一氧化碳的响应灵敏度分别为33.6和1.52;对照传感器对250ppm的乙醇和一氧化碳的响应灵敏度分别为28.7和2.13;实施例1中气敏传感器对50ppm的乙醇和一氧化碳的响应灵敏度分别为9.84和1.08;对照传感器对50ppm的乙醇和一氧化碳的响应灵敏度分别为8.27和1.12。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

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