[发明专利]一种半桥电路结构

权利要求书

1.一种半桥电路结构，其特征在于，所述半桥电路结构包括：

作为能量传输回路为负载供给能量的初级谐振电路；

与所述初级谐振电路连接，将谐振电感存储的能量回授到电网的谐振电感能量回授电路；以及

与所述初级谐振电路连接，将变压器漏感储存的能量回授到电网的变压器漏感能量回授电路。

2.如权利要求1所述的半桥电路结构，其特征在于，所述初级谐振电路包第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、电感L1、第一变压器T1A和第一电容C1；

第一MOS管Q1的漏极与电压输出端的正极连接，源极与电感L1的输入端连接；

第二MOS管Q2的源极与电压输出端的负极连接，漏极与电感L1的输入端连接；

第一变压器T1A的n1匝的一端与电感L1输出端连接，另一端与第一电容C1连接，第一电容C1另一端连接电压输出端的负极。

3.如权利要求1所述的半桥电路结构，其特征在于，所述谐振电感能量回授电路包括第一电阻R1、第三二极管D3、第四二极管D4、第一MOS管Q1和第二MOS管Q2；第三二极管D3与第四二极管D4同相串联，连接在电压输入端的正负极之间；

第一电阻R1一端与电感L1的输出端连接，另一端连接在第三二极管D3与第四二极管D4的连接处；

第四二极管D4、第一电阻R1、电感L1和第一MOS管Q1构成正半周泄放回路；

第三二极管D3、第一电阻R1、电感L1和第二MOS管Q2构成负半周泄放回路。

4.如权利要求1所述的半桥电路结构，其特征在于，所述变压器漏感能量回授电路包括第二变压器T1B、第五二极管D5、第六二极管D6、第一MOS管Q1和第二MOS管Q2；第五二极管D5与第六二极管D6同相串联，连接在电压输入端的正负极之间；

第二变压器T1B一端与第一MOS管Q1的源极连接，另一端连接在第五二极管D5与第六二极管D6的连接处；

第六二极管D6、第二变压器T1B、第一MOS管Q1构成正半周泄放回路；第三二极管D3、第二变压器T1B、第二MOS管Q2构成负半周泄放回路。

5.如权利要求2所述的半桥电路结构，其特征在于，所述半桥电路结构还包括与所述初级谐振电路连接的零电压开关电路。

6.如权利要求5所述的半桥电路结构，其特征在于，所述零电压开关电路包括第三电容C3、第四电容C4和电感L1；第三电容C3接在第一MOS管Q1的源极与漏极间，第四电容C4接在第二MOS管Q2的源极与漏极间。

7.如权利要求2所述的半桥电路结构，其特征在于，所述半桥电路结构还包括与所述初级谐振电路连接的输出整流滤波电路。

8.如权利要求7所述的半桥电路结构，其特征在于，所述输出整流滤波电路包括第一二极管D1、第二二极管D2和极性电容C2；第一二极管D1连接在第一变压器T1A的n2匝的一端与电压输出端的正极之间，第二二极管D2连接在第一变压器T1A的n2匝的另一端与电压输出端的正极之间，极性电容C2连接在电压输出端的正负极之间。