[发明专利]压电材料、压电元件、压电元件制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种压电材料，其特征在于，包括：

由以下通式(1)表示的钙钛矿型金属氧化物；

Mn；及

三价Bi，

其中，Mn的量是相对于1摩尔的所述金属氧化物的0.0020摩尔以上且0.0150摩尔以下，并且Bi的量是相对于1摩尔的所述金属氧化物的0.00042摩尔以上且0.00850摩尔以下，

Baa(Ti1_xZrx)O3 (1)

其中0.02≤x≤0.13并且0.986≤a≤1.02，并且

其中，压电材料包含90摩尔百分比以上的所述金属氧化物作为主成分。

2.如权利要求1所述的压电材料，还包括Si和B中至少一种，

其中，Si和B中至少一种的量是如下量：相对于100重量份的由通式(1)表示的所述钙钛矿型金属氧化物，按金属算该量为0.001重量份以上且4.000重量份以下。

3.如权利要求1或2所述的压电材料，其中，正方晶-斜方晶相变温度Tto是10℃以上。

4.如权利要求1或2所述的压电材料，其中，形成压电材料的晶粒的平均等效圆直径是500nm以上且10μm以下。

5.如权利要求1或2所述的压电材料，其中，压电材料的相对密度是93％以上且100％以下。

6.如权利要求1或2所述的压电材料，其中，在1kHz的频率，压电材料的介电损耗角正切是0.006以下。

7.一种压电元件，其特征在于，至少包括：

第一电极；

压电材料部；及

第二电极，

其中，形成压电材料部的压电材料是如权利要求1所述的压电材料。

8.一种用于制造压电元件的方法，其特征在于，该方法包括：

给如权利要求1所述的压电材料提供第一电极和第二电极；

在压电材料变为正方晶的温度施加电压；及

在维持所述电压的同时，将压电材料冷却到压电材料变为斜方晶的温度。

9.一种多层压电元件，其特征在于，包括多个压电材料层和包含内部电极的多个电极层，压电材料层和电极层交替堆叠，

其中，形成压电材料层的压电材料是如权利要求1所述的压电材料。

10.如权利要求9所述的多层压电元件，其中，内部电极包含Ag和Pd，及

其中，M1/M2的重量比是0.25≤M1/M2≤4.0，其中M1是所含Ag的重量并且M2是所含Pd的重量。

11.如权利要求9所述的多层压电元件，其中，内部电极包含Ni和Cu当中至少一种。

12.一种液体排出头，其特征在于，至少包括：

液体室，包括设有如权利要求7所述的压电元件或如权利要求9所述的多层压电元件的振动单元；及

与液体室连通的排出口。

13.一种液体排出装置，其特征在于，包括：

用于对象的载置台；及

如权利要求12所述的液体排出头。

14.一种超声波马达，其特征在于，至少包括：

振动构件，设有如权利要求7所述的压电元件或如权利要求9所述的多层压电元件；及

与振动构件接触的移动构件。

15.一种光学设备，其特征在于，包括设有如权利要求14所述的超声波马达的驱动单元。