[发明专利]具有负载突降保护的旋转电机有效

专利信息
申请号: 201510276319.1 申请日: 2015-05-26
公开(公告)号: CN105281627B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 丸山敏典;猪口誉敏;中西诚也 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H02P9/38 分类号: H02P9/38;H02M7/217;H02H9/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 朱胜;李春晖
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 整流元件 旋转电机 开关电路 开关元件 输出电压 上臂 下臂 浪涌抑制 阈值电压 断开 关元 接通状态 预定电平 确定器 整流器 接通 响应
【权利要求书】:

1.一种旋转电机,包括:

多相定子绕组;

整流器,包括彼此串联连接的一对上臂整流元件和下臂整流元件,所述整流器被配置成将在所述多相定子绕组中感生的相电压整流为所述旋转电机的输出电压,所述上臂整流元件和所述下臂整流元件中的至少一个为开关元件;

确定器,被配置成确定所述旋转电机的所述输出电压是否超过阈值电压;以及

开关电路,被配置成:

当确定所述旋转电机的所述输出电压超过所述阈值电压时,接通构成所述上臂整流元件和所述下臂整流元件中的任一个的所述开关元件;

即使所述输出电压下降至预定电平,也使所述开关元件保持接通状态,直到用于对所述开关元件关断时的浪涌进行抑制的预定关断定时到来为止;以及

响应于所述预定关断定时何时到来而关断所述开关元件。

2.根据权利要求1所述的旋转电机,其中,所述开关电路被配置成在满足第一条件和第二条件中的至少一个之后确定所述预定关断定时是否到来,

所述第一条件为已超过作为所述阈值电压的第一阈值电压的所述输出电压下降至低于第二阈值电压,所述第二阈值电压被设置成低于所述第一阈值电压,

所述第二条件为自从所述输出电压超过所述第一阈值电压起经过了至少预定时间。

3.根据权利要求2所述的旋转电机,还包括:

电源电路,被配置成基于所述输出电压将操作电压连续地提供至所述开关电路,至少直到确定所述预定关断定时到来为止。

4.根据权利要求3所述的旋转电机,其中,所述电源电路被配置成在所述输出电压下降至预定的第二电平之后,在一个所述多相定子绕组中感生的一个所述相电压的至少半个周期内将所述操作电压连续地提供至所述开关电路,所述预定的第二电平使得所述开关电路不能进行操作。

5.根据权利要求1或2所述的旋转电机,其中,构成所述上臂整流元件和所述下臂整流元件中的任一个的所述开关元件为具有本征二极管的MOS晶体管,并且所述开关电路被配置成至少基于所述MOS晶体管两端的直流电压来确定用于关断所述MOS晶体管的所述预定关断定时是否到来。

6.根据权利要求5所述的旋转电机,其中,所述预定关断定时包括第一浪涌抑制定时和第二浪涌抑制定时,并且所述开关电路被配置成:

当所述MOS晶体管两端的直流电压为与所述本征二极管的正向电压相反的反向电压并且流过所述MOS晶体管的电流等于或低于预定值时,在满足所述第一条件和所述第二条件中的至少一个之后,确定用于关断所述MOS晶体管的所述第一浪涌抑制定时到来,以及

当所述MOS晶体管两端的直流电压为所述本征二极管的正向电压时,确定用于关断所述MOS晶体管的所述第二浪涌抑制定时到来。

7.根据权利要求6所述的旋转电机,其中,所述MOS晶体管具有预定击穿电压,所述旋转电机还包括并联连接至所述整流器的齐纳二极管,所述齐纳二极管具有被设置成等于或高于所述第一阈值电压并且等于或低于所述MOS晶体管的击穿电压的击穿电压。

8.根据权利要求1至4、6和7中任一项所述的旋转电机,还包括:

转子,具有激励绕组;以及

激励电流控制器,被配置成:

控制将激励电流提供至所述激励绕组以生成要施加至所述多相定子绕组的旋转磁场;以及

当所述输出电压在预定时间内连续地高于所述阈值电压时,减小至所述激励绕组的所述激励电流,

其中,所述开关电路被配置成当所述输出电压在所述预定时间内连续地高于所述阈值电压时,接通所述开关元件。

9.根据权利要求8所述的旋转电机,其中,所述整流器和所述激励电流控制器经由通信线彼此可通信地连接,所述激励电流控制器被配置成继续减小至所述激励绕组的所述激励电流,直到所述开关电路关断所述开关元件为止。

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