[发明专利]量子棒膜有效
| 申请号： | 201510272112.7 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104880741B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 吴建宏;赵士维 | 申请（专利权）人： | 明基材料有限公司;明基材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/04 | 分类号： | G02B1/04;G02B5/00;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215121 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 光栅 次波长 微结构 复数 配向微结构 排列方向 液晶显示器 背光模组 方向排列 平行 垂直 选择性调控 背光源 穿透的 反射面 入射光 阻隔层 波长 白光 长轴 堆叠 红光 蓝光 绿光 反射 穿透 激发 | ||
1.一种量子棒膜，其特征在于，该量子棒膜包含：
第一阻隔层，其位于背光源的入光侧；
次波长微结构，其位于该第一阻隔层上，该次波长微结构具有成平行方向排列的光栅，平行方向排列的该光栅之间具有凹槽，该凹槽具有配向微结构，该配向微结构与该光栅的排列方向垂直，且该光栅顶部具有反射面；以及
复数个量子棒，其堆叠于该次波长微结构中的该配向微结构中，且该复数个量子棒的长轴排列方向垂直于该光栅的排列方向。
2.如权利要求1所述的量子棒膜，其特征在于，该次波长微结构的每一该光栅的宽度为70nm至75nm，深度为50nm至200nm，间隔为70nm至75nm。
3.如权利要求1所述的量子棒膜，其特征在于，该配向微结构的宽度为5nm至20nm，深度为5nm至50nm，间隔为5nm至20nm。
4.如权利要求1所述的量子棒膜，其特征在于，该复数个量子棒的长度为10nm至50nm，长径比为5至10。
5.如权利要求1所述的量子棒膜，其特征在于，该复数个量子棒包含一种或以上不同长度的量子棒。
6.如权利要求1所述的量子棒膜，其特征在于，形成该复数个量子棒的半导体材料选自元素周期表中III-V族、II-VI族、IV-VI族及/或其组合的化合物。
7.如权利要求1所述的量子棒膜，其特征在于，该第一阻隔层的材料选自对苯二甲酸乙二酯聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯聚合物、环氧树脂聚合物、聚硅氧烷聚合物、氟树脂聚合物或包含金属氧化物的有机/无机复合薄膜。
8.如权利要求1所述的量子棒膜，其特征在于，该次波长微结构的该反射面系为金属层。
9.如权利要求1所述的量子棒膜，其特征在于，进一步包含第二阻隔层，该第二阻隔层设置于该次波长微结构上。
10.如权利要求9所述的量子棒膜，其特征在于，该第二阻隔层的材料选自对苯二甲酸乙二酯聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯聚合物、环氧树脂聚合物、聚硅氧烷聚合物、氟树脂聚合物或包含金属氧化物的有机/无机复合薄膜。
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