[发明专利]一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：

A.将反应沉积腔抽至本底真空，再分别通入氧气和氩气，氧分压为0-90％，使工作压力为0.1-3.0Pa，基片温度为20-25℃，以高纯金属钒为靶材，采用直流反应磁控溅射技术，在衬底基片上生长五氧化二钒层；

B.将衬底升温至400-500℃，同时继续通入氧气和氩气，氧分压为10％-90％，使工作压力为0.1-1.0Pa，以高纯金属钛为靶材，采用直流反应磁控溅射技术，诱导溅射生长金红石二氧化钛层；

C.在还原气氛或惰性气氛环境中，进行退火，即得到基片/金红石二氧化钛/金红石二氧化钒热致变色薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤A所述衬底基片为玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤A所述本底真空的真空度为1-3×10^﹣4Pa。

4.根据权利要求1所述的一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤A所述五氧化二钒层的厚度为50-120nm。

5.根据权利要求1所述的一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤A所述氧气的纯度为99.99％，氩气的纯度为99.99％。

6.根据权利要求1所述的一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤A所述高纯金属钒的纯度为99.99％，步骤B所述高纯金属钛的纯度为99.99％。

7.根据权利要求1所述的一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤A和B所述直流反应磁控溅射的功率密度为3-5W/cm²。

8.根据权利要求1所述的一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤B所述金红石二氧化钛层的厚度为50-200nm。

9.根据权利要求1所述的一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤C所述还原气氛为氢气和氩气的混合气体，所述惰性气氛为氮气或/和氩气气体。

10.根据权利要求1所述的一种二氧化钒低温热致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤C所述退火的温度为400-700℃，退火的时间为1-2小时。