[发明专利]一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法有效

专利信息
申请号: 201510254973.2 申请日: 2015-05-19
公开(公告)号: CN105022115B 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 张娟;邹俊辉;华东 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 级联 等离子体 光子 晶体 及其 全方位 最大化 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种一维级联等离子体光子晶体,由电介质层和等离子体层交替叠合构成,其特征在于:充分利用PC的多个帯隙,通过使n个相级联的PC的n个帯隙在所有的入射角范围内对TM和TE的所有偏振态光都能够彼此衔接来进行;在所有的入射角范围内对TM和TE的所有偏振态光,PC2的第一个帯隙的下限与PC1的第一个帯隙的上限相衔接,PC2的第一个帯隙的上限与PC1的第二个帯隙的下限相衔接,PC2的第二个帯隙的下限与PC1的第二个帯隙的上限相衔接,PC2的第二个帯隙的上限与PC1的第三个帯隙的下限相衔接,依次类推至n级PC,n为除零外的自然数。

2.根据权利要求1所述的一维级联等离子体光子晶体的全方位带隙最大化设计方法,其特征在于具体设计步骤为:

(1)根据已知前一PC的结构参数得到正入射时其第一个、第二个,……,第n个帯隙的上限和下限;

(2)按照相级联的PC的多个帯隙彼此能够衔接,确定正入射时后一PC的第一个帯隙、第二个帯隙,……,第n个帯隙的上限和下限位置区域;

(3)调节后一PC的结构参数,通过使后一PC的各帯隙位置满足上步确定的各帯隙的上限和下限位置区域,从而初步确定后一PC的结构参数;

(4)判断在所有入射角范围内,当后一PC的结构参数为上步初步确定的结构参数时,对TM和TE的所有偏振态的光是否后一PC的各帯隙的上限和下限始终仍能与前一PC的帯隙彼此相衔接, 若是,则该参数为最终确定的后一PC的结构参数;反之,则回到上面第(3)步,继续调节后一PC的结构参数,直到该参数满足第(4)步的条件,从而最终确定后一PC的结构参数完成具有最大光子帯隙的全方位反射器的设计。

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