[发明专利]一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法有效
| 申请号: | 201510254973.2 | 申请日: | 2015-05-19 | 
| 公开(公告)号: | CN105022115B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 | 
| 发明(设计)人: | 张娟;邹俊辉;华东 | 申请(专利权)人: | 上海大学 | 
| 主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122 | 
| 代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 | 
| 地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 级联 等离子体 光子 晶体 及其 全方位 最大化 设计 方法 | ||
1.一种一维级联等离子体光子晶体,由电介质层和等离子体层交替叠合构成,其特征在于:充分利用PC的多个帯隙,通过使n个相级联的PC的n个帯隙在所有的入射角范围内对TM和TE的所有偏振态光都能够彼此衔接来进行;在所有的入射角范围内对TM和TE的所有偏振态光,PC2的第一个帯隙的下限与PC1的第一个帯隙的上限相衔接,PC2的第一个帯隙的上限与PC1的第二个帯隙的下限相衔接,PC2的第二个帯隙的下限与PC1的第二个帯隙的上限相衔接,PC2的第二个帯隙的上限与PC1的第三个帯隙的下限相衔接,依次类推至n级PC,n为除零外的自然数。
2.根据权利要求1所述的一维级联等离子体光子晶体的全方位带隙最大化设计方法,其特征在于具体设计步骤为:
(1)根据已知前一PC的结构参数得到正入射时其第一个、第二个,……,第n个帯隙的上限和下限;
(2)按照相级联的PC的多个帯隙彼此能够衔接,确定正入射时后一PC的第一个帯隙、第二个帯隙,……,第n个帯隙的上限和下限位置区域;
(3)调节后一PC的结构参数,通过使后一PC的各帯隙位置满足上步确定的各帯隙的上限和下限位置区域,从而初步确定后一PC的结构参数;
(4)判断在所有入射角范围内,当后一PC的结构参数为上步初步确定的结构参数时,对TM和TE的所有偏振态的光是否后一PC的各帯隙的上限和下限始终仍能与前一PC的帯隙彼此相衔接, 若是,则该参数为最终确定的后一PC的结构参数;反之,则回到上面第(3)步,继续调节后一PC的结构参数,直到该参数满足第(4)步的条件,从而最终确定后一PC的结构参数完成具有最大光子帯隙的全方位反射器的设计。
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