[发明专利]对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线

权利要求书

1.对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于设有介质基板，介质基板的上表面和下表面分别敷有良导体层，上表面良导体层设有带缝隙结构的辐射贴片和微带馈线，所述带缝隙结构的辐射贴片结构轮廓为类U型结构，所述类U形底端为斜梯型渐变结构，用于减小与微带馈线的反射，增加阻抗带宽，类U形顶端加载T型枝节，用于产生3.5GHz的谐振频点；所述缝隙结构为在辐射贴片的左右两侧刻蚀两个对称的“箭头”型缝隙，以构成缝隙耦合谐振器，实现双偶极调控；所述微带馈线的形状为矩形结构；下表面良导体层设有接地板和加载枝节结构，所述接地板为矩形接地板，矩形接地板上设有两个对称L型槽，用于在高频段内形成一个阻带，改善高频段的阻抗匹配特性；所述加载枝节结构为两个对称的轮廓为类U型结构，用于与两个对称的“箭头”型缝隙形成耦合作用，在类U型加载枝节上设有两个对称的耦合腔。

2.如权利要求1所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于所述介质基板采用陶瓷介质基板或环氧复合介质基板，在介质基板双面覆盖铜或银材料，介质基板的相对介电常数为4.0±2.0。

3.如权利要求2所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于所述介质基板的相对介电常数为3.2±0.2。

4.如权利要求1所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于所述介质基板的长度为22.7±6.0mm，宽度为20.0±5.3mm，厚度为0.800±0.200mm。

5.如权利要求1所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于所述斜梯型渐变结构的渐变高度为2.00±0.50mm；带缝隙结构的辐射贴片结构的类U型结构的宽度为20.0±5.0mm，高度为9.20±2.50mm，所述类U型结构的开口的高度为7.00mm±2.00mm，宽度为3.00mm±0.80mm。

6.如权利要求1所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于所述上表面良导体层的带缝隙结构的辐射贴片上加载的T型枝节宽度为14.0mm±3.7mm，高度为12.0±3.2mm，线宽为1.80mm±0.50mm。

7.如权利要求1所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于所述上表面良导体层的带缝隙结构的辐射贴片上的箭头缝隙宽度为1.50±0.40mm，箭身长度为8.00±2.20mm，箭头缝隙长度为3.50mm±0.90mm，箭头缝隙的箭头的张角为60.0°±1.0°。

8.如权利要求1所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于所述上表面良导体层的微带馈线为矩形结构，所述矩形宽度为1.80±0.50mm，高度为7.00mm±2.00mm。

9.如权利要求1所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于所述矩形接地板的宽度为20.0±5.3mm，高度为6.00mm±1.60mm。

10.如权利要求1所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于所述L型槽的宽度为0.800mm±0.200mm，长度为5.50mm±1.45mm，高度为3.00mm±0.80mm。

11.如权利要求1所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于加载枝节结构两个对称的类U型结构的长度为9.20mm±2.50mm，宽度为4.20mm±1.20mm，类U型结构的U型口的长度为3.00mm±0.80mm，宽度为1.40±0.40mm；类U型加载枝节上设有两个对称的耦合腔。

12.如权利要求11所述对称双偶极调控缝隙耦合谐振器的多频段天线，其特征在于所述耦合腔的形状为圆形，其圆形缝隙直径为2.00mm±0.50mm。