[发明专利]掩膜板有效
申请号: | 201510198177.1 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN104777710B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 张庆明;李文苹;杨青 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 彭柳眉 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 | ||
1.一种掩膜板,用于向玻璃基板上转移电晶体图案,其特征在于,该掩膜板包括多个掩膜图案,每个掩膜图案包括一个半环状的第一图案、在该第一图案的外圆的弧形边水平延伸的第二图案以及位于该第一图案正中位置处且远离该第一图案的内圆的第三图案,其中,该第一图案具有一沟槽,该沟槽具有透光性,该第一图案的沟槽宽度为0.5~1.1um。
2.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,该沟槽为半环形,且位于该第一图案的外圆与内圆之间。
3.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,该沟槽的内边与该第一图案的内圆之间的距离为0.7~1.3um。
4.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,该第一图案的内圆与该第三图案之间的距离为2.0~3.0um。
5.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,该玻璃基板为薄膜晶体管阵列基板。
6.如权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,该第一图案对应该薄膜晶体管阵列基板的薄膜晶体管的源极。
7.如权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,该第三图案对应该薄膜晶体管阵列基板的薄膜晶体管的漏极。
8.如权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,该第二图案对应该薄膜晶体管阵列基板上的导电层,该导电层用于传输数据信号。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备