[发明专利]一种点阵列表面增强拉曼基底及制备方法

权利要求书

1.一种点阵列表面增强拉曼基底制备方法，其特征在于：依次包括以下步骤：

a、制备粒径均匀的含铁、钴或镍的金属氧化物的磁性纳米颗粒；

b、在磁性纳米颗粒外包覆金层，得到包金磁性纳米颗粒；

c、制备出具有点阵列式微凹坑的硅片基底；

d、所述硅片基底清洗后吹干；

e、将所述硅片基底亲水处理；

f、在磁铁的吸引作用下，将包金磁性纳米颗粒富集于微凹坑中；

g、清洁硅片基底上外溢于微凹坑的包金磁性纳米颗粒，得到硬质表面增强拉曼基底，

h、将固化前的水凝胶填充覆盖在硬质表面增强拉曼基底上；

i、待水凝胶固化后，将其从硅片基底上剥离，得到软质表面增强拉曼基底。

2.根据权利要求1所述的点阵列表面增强拉曼基底制备方法，其特征在于：所述步骤a中，所述磁性纳米颗粒为铁氧化物颗粒。

3.根据权利要求1所述的点阵列表面增强拉曼基底制备方法，其特征在于：所述步骤a中，通过水热法制备粒径均匀的磁性纳米颗粒。

4.根据权利要求1所述的点阵列表面增强拉曼基底制备方法，其特征在于：所述步骤b中，通过原位生长法在磁性纳米颗粒外包覆金层。

5.根据权利要求1所述的点阵列表面增强拉曼基底制备方法，其特征在于：所述步骤c中，用光刻法制备出具有微凹坑阵列的硅片基底。

6.根据权利要求1所述的点阵列表面增强拉曼基底制备方法，其特征在于：所述步骤d中，硅片基底采用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗后，使用氮气枪吹干。

7.根据权利要求1所述的点阵列表面增强拉曼基底制备方法，其特征在于：所述步骤e中，所述硅片基底放入等离子体清洗机中做不低于1min的亲水处理。

8.一种点阵列表面增强拉曼基底，其特征在于：包括硬质表面增强拉曼基底、以及软质表面增强拉曼基底两种形式，其中，所述硬质表面增强拉曼基底包括硅片基底和包金磁性纳米颗粒，所述硅片基底上设置有点阵列式微凹坑，所述包金磁性纳米颗粒富集于所述微凹坑中；所述软质表面增强拉曼基底包括水凝胶基底和包金磁性纳米颗粒，所述水凝胶基底上设置有点阵列式突起，所述突起中包埋有所述包金磁性纳米颗粒，所述包金磁性纳米颗粒为包覆有金层的磁性纳米颗粒。

9.根据权利要求8所述的点阵列表面增强拉曼基底，其特征在于：所述磁性纳米颗粒为铁氧化物颗粒。