[发明专利]Xe介质毛细管放电检测用极紫外光源的放电室

说明书

技术领域

本发明涉及13.5nm极紫外(EUV)光源技术，具体涉及一种Xe介质毛细管放电检测用13.5nm极紫外光源的放电室。

背景技术

为了实现我国超大规模集成电路的跨越式发展，国家将2020年实现45nm～22nm刻线作为我国微电子产业的中长期发展规划，并由此制定了国家科技重大专项02专项。过去的几十年，微电子产业迅速发展，集成电路最小特征尺寸决定了一个晶片上所能集成的晶体管数量，也决定了集成电路运行速度和存储容量。光刻技术作为集成电路的技术基础，是决定集成电路发展速度的一个重要因素。光刻机分辨率的物理极限R决定了集成电路的最小特征尺寸，光刻机分辨率的物理极限R决定了集成电路的最小特征尺寸，可以通过分辨率增强技术减小工艺因子k₁，或者减小光刻机曝光波长λ，或者提高数值孔径NA的方法，提高光刻机分辨率R。其中，减小光刻机曝光波长是主要方法之一。极紫外光刻技术采用13.5nm(2％带宽)辐射光作为曝光光源，是最有可能实现16nm节点甚至以下的下一代光刻技术之一。

对于大规模工业生产(HVM)用EUV光刻机中各种关键部件，例如光源、收集镜、掩膜版、光刻胶等，其性能参数与常规光刻机中的部件相比更为苛刻，检测条件更为复杂，需要采用13.5nm光源检测光源辐射特性及功率稳定性、收集镜表面粗糙度、面型精度、掩膜版精度、光刻胶对13.5nm(2％带宽)辐射响应灵敏度等参数。检测用EUV光源由电源系统、放电系统、真空系统、探测系统、光学收集系统和去碎屑系统等几部分组成，电源系统设置在放电室内部。1kHz检测用光源工作时，电源功率50kW，其中转换为光能为20kW，剩余30kW电能转换为热能沉积在放电室中，这需要放电室具有良好的冷却性能。另一方面，放电室需要工作在真空环境，这使得放电室能够维持良好的真空性能，这也是常规的放电室无法满足的。

发明内容

本发明的目的是为了解决常规的放电室结构放电性能和冷却性能不够好的问题，提供一种Xe介质毛细管放电检测用极紫外光源的放电室。

本发明所述的Xe介质毛细管放电检测用极紫外光源的放电室，包括主脉冲地电极1、预脉冲高压电极2、共用电极3、外壳4和极紫外光源的毛细管5；

所述的主脉冲地电极1为所述的极紫外光源的主脉冲电源的地电极，所述的预脉冲高压电极2为所述的极紫外光源的预脉冲电源的高压电极，所述共用电极3为极紫外光源的主脉冲电源的高压电极和预脉冲电源的地电极的共用电极3；

预脉冲高压电极2、共用电极3和外壳4均为圆管状结构，且中心轴重合；

外壳4的一端封闭，另一端开口；

主脉冲地电极1、预脉冲高压电极2和共用电极3的管壁的内、外表面均覆有绝缘层；

主脉冲地电极1为圆环形，毛细管5嵌入在该圆环的中心孔内，主脉冲地电极1与毛细管5共同覆盖在外壳4的开口侧，且连接处密封；

共用电极3位于外壳4内部，预脉冲高压电极2位于共用电极3内部；

外壳4上开有用于抽真空的出气孔；

外壳4上还开有进气孔；

外壳4内部还设置有冷却系统，用于对预脉冲高压电极2和共用电极3制冷。

所述的极紫外光源主要包括电源、放电室、真空室三大部分，放电室与真空室相连接。其中，电源包括主脉冲电源和预脉冲电源两部分。在放电室毛细管放电部位的约15mm×15mm×300mm区域范围内，需要同时加载两个压差分别为20kV和25kV的高压脉冲，同时两个电源需要共用一个电极，为了提高放电性能，还需要调整电极间的相对位置，这对整个放电室结构提出了很高的要求。本发明中，主脉冲电源的高压极与预脉冲电源的地极共用一个电极。共用电极3位于外壳4的右端面上，外壳4的左端面封闭。三个电极的表面均覆有绝缘层，具有良好的绝缘性能。预脉冲高压电极2和共用电极3均设置在外壳4内部，且预脉冲高压电极2和共用电极3的位置沿轴向可调，使得预脉冲高压电极2与主脉冲地电极1的距离及共用电极3与主脉冲地电极1的距离均可调，提高了主脉冲电源和预脉冲电源的放电性能。另外，放电室内还设置冷却系统，用于对电极进行制冷。本发明具有良好的绝缘性能、放电性能、冷却性能和真空性能。

附图说明

图1为本发明所述的Xe介质毛细管放电检测用极紫外光源的放电室的结构示意图。

具体实施方式

具体实施方式一：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述的Xe介质毛细管放电检测用极紫外光源的放电室包括主脉冲地电极1、预脉冲高压电极2、共用电极3、外壳4和极紫外光源的毛细管5；