[发明专利]一种球状闪电的人工制造方法在审
申请号: | 201510080341.9 | 申请日: | 2015-02-13 |
公开(公告)号: | CN104684236A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 李军;胡纯栋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 球状 闪电 人工 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及球状闪电领域,具体是一种球状闪电的人工制造方法。
背景技术
球形闪电偶尔伴随雷电发生,是一种自持的环形磁场和蜗旋电流约束激发的等离子光球。发光并维持一定时间,具有能量。目前没有相关人工制造技术。
发明内容 本发明的目的是提供一种球状闪电的人工制造方法,以人工制造一种自持的环形磁场和蜗旋电流相互禁锢约束状态并激发产生等离子光球。
为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案为:
一种球状闪电的人工制造方法,其特征在于:首先使一团物质微粒带上电荷或使这一团物质微粒电离成等离子体;然后对这一团带电的或被电离成等离子体的物质微粒通脉冲直流电流或脉冲交流电流;此脉冲直流电流或脉冲交流电流在这一团带电的或被电离成等离子体的物质微粒中通过时,因趋肤效应,电流集中在这一团带电的或被电离成等离子体的物质微粒表面通过,并在这一团带电的或被电离成等离子体的物质微粒内产生环形磁场;因为电流是脉冲的,所以当电流中断时,环形磁场强度跟随减弱,产生围绕环形磁场的蜗旋电场,此蜗旋电场在这一团带电的或被电离成等离子体的物质微粒中驱动带电微粒或等离子体产生围绕环形磁场的蜗旋电流,此蜗旋电流产生的磁场正好补充环形磁场减弱的磁场强度,形成一个自持的,环形磁场和蜗旋电流相互禁锢的平衡状态,此时蜗旋电流离子化周围大气和其中的微粒形成等离子体,并通过环形磁场约束部分等离子体形成球状闪电。
本发明可人工制造一种自持的环形磁场和蜗旋电流相互禁锢约束状态并激发产生等离子光球。在国防领域可作为新概念武器系统,极大的提高国家防御能力;在核聚变领域,因其磁力线是环形闭合状态,有利于高温、高密度等离子体的约束和小型化、工业化转化;还可以在科学研究、工业、电子、娱乐等领域广泛应用。
附图说明
图1是本发明原理图。
图2是本发明具体实施例的原理图。
具体实施方式
一种球状闪电的人工制造方法,其特征在于:首先使一团物质微粒带上电荷或使这一团物质微粒电离成等离子体;然后对这一团带电的或被电离成等离子体的物质微粒通脉冲直流电流或脉冲交流电流;此脉冲直流电流或脉冲交流电流在这一团带电的或被电离成等离子体的物质微粒中通过时,因趋肤效应,电流集中在这一团带电的或被电离成等离子体的物质微粒表面通过,并在这一团带电的或被电离成等离子体的物质微粒内产生环形磁场;因为电流是脉冲的,所以当电流中断时,环形磁场强度跟随减弱,产生围绕环形磁场的蜗旋电场,此蜗旋电场在这一团带电的或被电离成等离子体的物质微粒中驱动带电微粒或等离子体产生围绕环形磁场的蜗旋电流,此蜗旋电流产生的磁场正好补充环形磁场减弱的磁场强度,形成一个自持的,环形磁场和蜗旋电流相互禁锢的平衡状态,此时蜗旋电流离子化周围大气和其中的微粒形成等离子体,并通过环形磁场约束部分等离子体形成球状闪电。
具体实施例:
如图1、图2所示,玻璃管2中是常规大气, 并且玻璃管2两端设置一对电极3。电极3跟电感线圈5并联。电感线圈5通过开关7跟直流电源6串联。闭合开关7直流电源6通过电感线圈5产生电流。启动微波发生器1,对玻璃管2中的大气进行微波加热,并使之电离成为等离子体团4。断开开关7,因电感线圈5的电流不能突变,此时的电感线圈5成为一脉冲电流源并对玻璃管2中的等离子体团4脉冲直流放电。脉冲直流电流包涵交流谐波成分,此脉冲直流电流在等离子体团4中通过时,跟交流电流一样会有趋肤效应,电流集中在等离子体团4表面通过,并在等离子体团4内产生环形磁场9。因为电流是脉冲的,所以当电流中断时,环形磁场9强度跟随减弱,产生围绕环形磁场9的蜗旋电场,此蜗旋电场在等离子体团中驱动产生围绕环形磁场9的蜗旋电流8,此蜗旋电流8产生的磁场正好补充环形磁场9减弱的磁场强度,形成一个自持的,环形磁场9和蜗旋电流8相互禁锢的平衡状态,此时蜗旋电流8离子化周围大气和其中的微粒形成等离子体,并通过环形磁场9约束部分等离子体形成球状闪电。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院等离子体物理研究所;,未经中国科学院等离子体物理研究所;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510080341.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:布线基板以及半导体元件向布线基板的安装方法
- 下一篇:LED驱动电路