[发明专利]一种可消除相邻转轮磁干涉的直读表有效

专利信息
申请号: 201510029996.3 申请日: 2015-01-21
公开(公告)号: CN104568041B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 詹姆斯·G·迪克;周志敏 申请(专利权)人: 江苏多维科技有限公司
主分类号: G01F15/00 分类号: G01F15/00;G01D3/028
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 代理人: 孙仿卫,项丽
地址: 215634 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 消除 相邻 转轮 干涉 直读
【权利要求书】:

1.一种可消除相邻转轮磁干涉的直读表,所述直读表包括N个永磁转轮以及N个对应的双轴磁电阻角度传感器,所述第i个双轴磁电阻角度传感器沿相互垂直的X轴和Y轴感受第i个永磁转轮产生的需要磁场以及其它N-1个永磁转轮产生的干扰磁场的线性叠加,产生干扰磁场的永磁转轮为第j个永磁转轮,且j≠i,其特征在于所述直读表包括:

对所有N个所述双轴磁电阻角度传感器的原始输出正/余弦信号分别进行高速采样并形成一个N*1的原始信号矩阵[V/Vp]k(i)raw的采样元件,

储存N*N的校正矩阵[Cij]的存储元件,

和进行[V/Vp]kcorr(i)=[V/Vp]k(i)raw-sum{C(i,j)*[V/Vp]k(j)raw}数学运算、以消除干扰磁场而获得所述永磁转轮的旋转角度的运算元件,

k=x或y,原始信号矩阵[V/Vp]k(i)raw中的元素为Vxi/Vpxi或Vyi/Vpyi,Vxi、和Vyi分别对应所述第i个双轴磁电阻传感器的沿X轴和Y轴两个轴向的输出原始信号,Vpxi和Vpyi分别对应所述第i个双轴磁电阻传感器的沿X轴和Y轴两个轴向的输出原始信号的峰值,[V/Vp]k(i)raw,[V/Vp]kcorr(i)分别是所述双轴磁电阻角度传感器的N*1原始信号矩阵和校正信号矩阵;所述原始信号Vxi、Vpxi和Vyi、Vpyi分别为所述各双轴磁角度传感器两个输出正/余弦信号曲线经过偏移处理之后的数值;

所述双轴磁阻角度传感器为X-Y双轴角度传感器。

2.根据权利要求1所述的一种可消除相邻转轮磁干涉的直读表,其特征在于,所述校正矩阵[Cij]为通过有限元计算获得,或者通过直接测量数据计算得到。

3.根据权利要求1所述的一种可消除相邻转轮磁干涉的直读表,其特征在于,所述校正矩阵[Cij]的各校正系数取决于各所述永磁转轮的几何参数、所述永磁转轮与所述双轴磁角度传感器的相对位置以及永磁转轮的磁化方向和磁化强度;当永磁转轮的几何参数相同、磁化状态相同时,则所述校正矩阵[Cij]的校正系数相同。

4.根据权利要求1所述的一种可消除相邻转轮磁干涉的直读表,其特征在于,所述直读表中在所述永磁转轮之间不包含软磁屏蔽材料。

5.根据权利要求1所述的一种可消除相邻转轮磁干涉的直读表,其特征在于,所述永磁转轮为圆柱形,所述永磁转轮磁化方向为平行于所述永磁转轮过直径方向,或为沿垂直于所述永磁转轮底面方向,且在两个半圆柱内具有反平行磁化方向。

6.根据权利要求1所述的一种可消除相邻转轮磁干涉的直读表,其特征在于,所述双轴磁电阻角度传感器为AMR、GMR或TMR磁电阻角度传感器。

7.根据权利要求1所述的一种可消除相邻转轮磁干涉的直读表,其特征在于,减小作用在所述双轴磁角度传感器上的非线性电压信号输出的成分以提高校正后测量的精度。

8.根据权利要求7所述的一种可消除相邻转轮磁干涉的直读表,其特征在于,当所述双轴磁角度传感器为GMR或TMR自选阀传感器时,降低所述永磁转轮的磁场强度,从而减小所述双轴磁电阻传感器钉扎层的旋转幅度,以减小所述双轴磁角度传感器的磁场测量角度随磁场旋转角度的曲线的非线性成分,从而减小所述原始正余弦输出电压信号的非线性成分,提高校正后的精度。

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