[发明专利]矩阵排列的晶体管组的寻址有效
申请号: | 201480055855.2 | 申请日: | 2014-10-07 |
公开(公告)号: | CN105723443B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | S·瑞德尔;J·希尔斯;J·哈丁 | 申请(专利权)人: | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/36 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 矩阵 排列 晶体管 寻址 | ||
一种包括晶体管阵列的装置;其中该装置包括为晶体管设置栅电极或源电极中的一个的第一导体(4a,4b)阵列,和为晶体管设置栅电极或源电极中的另一个的第二导体(2a,2b)阵列;其中该第一导体包含每个与晶体管阵列的相应的一组N行相关联的导体;并且其中该晶体管列包含与第二导体阵列的相应的一组N个第二导体相关联的晶体管列,并且每组N个第二导体中的每个第二导体与相应的晶体管列中相应的一组1/N的晶体管相关联;其中N大于1。
晶体管阵列的寻址操作涉及独立地控制该阵列的每个晶体管的漏电极处的电位。
一种寻址技术涉及,通过控制晶体管行的栅电极处的电压循序地使晶体管行在截止状态和导通状态之间切换,并然后将相应的数据电压施加到晶体管行中每个处于导通状态的晶体管的源电极。一个或多个导体层限定了栅极导体阵列和源极导体阵列,每个栅极导体为该晶体管阵列的相应的晶体管行设置栅电极,并且被连接到栅极驱动器的相应的输出端;而每个源极导体为该晶体管阵列的相应的晶体管列设置源电极,并且被连接到源极驱动器的相应的输出端。
本申请的发明人已经认识到以下挑战:开发一种用于在晶体管阵列中寻址晶体管的新技术。
本文提供一种包括晶体管阵列的装置;其中该装置包括为晶体管设置栅电极或源电极中的一个的第一导体的阵列,和为晶体管设置栅电极或源电极中的另一个的第二导体的阵列;其中该第一导体包含每个与晶体管阵列的相应的一组N行相关联的导体;并且其中该晶体管列包含与第二导体阵列的相应的一组N个第二导体相关联的晶体管列,并且每组N个第二导体中的每个第二导体与相应的晶体管列中相应的一组1/N的晶体管相关联;其中N大于1。
根据一个实施例,N为大于1的整数。
根据一个实施例,第一导体为晶体管设置栅电极,而第二导体为晶体管设置源电极。
根据一个实施例,第一导体为晶体管设置源电极,而第二导体为晶体管设置栅电极。
根据一个实施例,N为2。
根据一个实施例,该装置还包含一个或多个驱动器;其中第一导体和第二导体中的每个被连接到一个或多个驱动器芯片的相应的输出端。
根据一个实施例,至少第一导体被布线在该晶体管阵列的至少一个拐角的周围。
根据一个实施例,该装置还包含像素导体阵列,其中每个像素导体行都与相应的晶体管行相关联,而每个像素导体列都与相应的晶体管列相关联。
根据一个实施例,该装置还包含光学媒介,该光学媒介的光学状态响应于一个或多个像素导体处的电位的改变而改变。
根据一个实施例,该装置包括像素电极阵列,每个像素电极与所述晶体管阵列中的相应一个相关联,以及每个晶体管行包括用于相应的像素电极行的晶体管,而每个晶体管列包括用于相应的像素电极列的晶体管。
参照附图,仅通过非限制性示例的方式,在下文中详细描述本发明的实施例,其中:
图1是晶体管阵列的源极、漏极和栅极导体配置的示例的示意平面图;
图2和3是图1中所例示的示例配置的一部分的示意剖面图;
图4是图2和3中所示的像素导体的排列的示例的示意平面图;
图5例示了图1中的源极、漏极和栅极导体的配置的另一个示例;
图6例示了施加到图1或图5中的栅极和源极导体的信号的时序的示例;
图7是晶体管阵列的源极、漏极和栅极导体的配置的另一个示例的示意平面图;
图8和9是图7中所例示的示例配置的一部分的示意剖面图;
图10是图7和8中所示的像素导体的排列的示例的示意平面图;
图11例示了图7中的源极、漏极和栅极导体的配置的另一个示例;
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