[发明专利]电子照相用导电性构件、处理盒和电子照相设备有效
申请号: | 201480053313.1 | 申请日: | 2014-09-22 |
公开(公告)号: | CN105579914B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 菊池裕一;山内一浩;岛田幹夫;日野哲男;渡边政浩;村中则文;西冈悟 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/02 | 分类号: | G03G15/02;G03G15/00 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 照相 导电性 构件 处理 设备 | ||
1.一种电子照相用导电性构件,其至少包括:
导电性支承体;和
在所述导电性支承体的外侧的表面层,
所述表面层包含多孔体,
其特征在于,
所述表面层满足以下(1)、(2)和(3):
(1)所述多孔体具有包括三维连续的骨架和三维连续的孔的共连续结构;
(2)当拍摄所述表面层的表面的任意的边长为150μm的正方形区域,并且将所述区域纵向等分为60份且横向等分为60份从而将所述区域等分为3,600个正方形组时,
所述骨架的所述正方形组的个数和所述孔的所述正方形组的个数的总和相对于全部所述正方形组的个数的比例是25%以下;和
(3)所述多孔体是非导电性的。
2.根据权利要求1所述的电子照相用导电性构件,其中所述电子照相用导电性构件的由L2/4πS求得的圆形度K的算术平均值为2以上,其中L表示在拍摄的所述表面层的截面图像中的所述孔的周长,和S表示在拍摄的所述表面层的截面图像中的所述孔的面积。
3.根据权利要求1或2所述的电子照相用导电性构件,其中所述表面层的厚度为3μm以上且50μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的电子照相用导电性构件,其中所述表面层的孔隙率为40%以上且95%以下。
5.根据权利要求1或2所述的电子照相用导电性构件,其中所述表面层的体积电阻率为1×1010Ω·cm以上且1×1017Ω·cm以下。
6.根据权利要求1或2所述的电子照相用导电性构件,其中所述多孔体通过高分子材料与溶剂之间的相分离而形成。
7.根据权利要求1或2所述的电子照相用导电性构件,其进一步包括用于保护所述表面层的刚性结构体。
8.一种处理盒,其可拆卸地安装至电子照相设备的主体,其特征在于,所述处理盒包括根据权利要求1至7任一项所述的导电性构件。
9.一种电子照相设备,其特征在于,其包括根据权利要求1至7任一项所述的导电性构件。
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