[发明专利]基带处理电路装置在审
申请号: | 201480052550.6 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN105580271A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | L-C·常;B·格普塔;T·D·加思曼;I·R·查玛斯 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/02;H03F3/72;H03F1/42;H03F1/22;H03F3/193;H03F1/08 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基带 处理 电路 装置 | ||
1.一种装置,包括:
基带放大器,被配置成将差分信号转换成单端输出电压;以及
输出管脚,被耦合到所述单端输出电压。
2.根据权利要求1所述的装置,所述基带放大器包括:
跨阻抗放大器,被配置成从所述差分信号生成第一差分电压;
低通滤波器,被配置成对所述第一差分电压滤波以生成第二差分 电压;以及
放大器,被配置成从所述第二差分电压生成所述单端输出电压。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述差分信号包括差分电 流,所述跨阻抗放大器进一步包括:
差分放大器,被配置成从所述差分电流生成差分电压;
所述低通滤波器进一步包括将所述低通滤波器的单端端子耦合 到地的电容器。
4.根据权利要求2所述的装置,其中所述差分信号包括差分电 流,其中所述跨阻抗放大器具有从窄带(NB)和宽带(WB)可选择 的带宽。
5.根据权利要求4所述的装置,所述跨阻抗放大器包括NB放 大器和WB放大器,所述NB放大器和所述WB放大器均包括晶体管 输入级,其中所述NB晶体管输入级的面积大于所述WB晶体管输入 级的面积。
6.根据权利要求5所述的装置,进一步包括被耦合到所述NB 晶体管输入级和所述WB晶体管输入级的单个电流源以及被耦合到 所述NB晶体管输入级和所述WB晶体管输入级的单个负载。
7.根据权利要求5所述的装置,进一步包括用于所述NB晶体 管输入级和所述WB晶体管输入级中的每个晶体管输入级的分离的 电流源以及用于所述NB晶体管输入级和所述WB晶体管输入级中的 每个晶体管输入级的分离的负载,其中所述分离的电流源中的每个电 流源可配置成响应于控制信号设置而被开启或被关闭。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述基带放大器是同相(I) 基带放大器,并且所述单端输出电压是I输出电压,所述装置进一步 包括:
正交(Q)基带放大器,被配置成将差分信号转换成单端Q输出 电压;以及
Q输出管脚,被耦合到所述单端Q输出电压;
所述装置进一步包括用于载波聚合系统的每个载波的I基带放大 器和Q基带放大器。
9.根据权利要求2所述的装置,其中所述跨阻抗放大器包括反 馈网络,所述反馈网络具有选择性地可配置的电阻或电容。
10.根据权利要求1所述的装置,其中所述基带放大器具有选择 性地可配置的频率响应。
11.根据权利要求2所述的装置,进一步包括多个开关,以将被 配置成从所述第二差分电压生成所述单端输出电压的所述放大器选 择性地旁路。
12.根据权利要求11所述的装置,所述多个开关包括将所述第 一差分电压的单端电压直接选择性地耦合到所述基带放大器的所述 单端输出电压的开关。
13.根据权利要求11所述的装置,所述多个开关包括:
将所述低通滤波器的第一单端电压直接选择性地耦合到所述基 带放大器的所述单端输出电压的开关;
将所述低通滤波器的第二单端电压选择性地耦合到地的开关。
14.根据权利要求1所述的装置,进一步包括具有被耦合到所述 基带放大器的所述差分信号的输出的电流模式无源混频器。
15.一种装置,包括:
低通滤波器,被配置成对差分信号滤波以生成第一差分电压;以 及
放大器,被配置成从所述第一差分电压生成单端输出电压。
16.根据权利要求15所述的装置,所述低通滤波器包括:
电阻器,在所述差分信号的节点和所述第一差分电压的节点之间 串联耦合;以及
至少一个电容器,将所述电阻器彼此耦合。
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