[发明专利]基带处理电路装置在审

专利信息
申请号: 201480052550.6 申请日: 2014-09-19
公开(公告)号: CN105580271A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: L-C·常;B·格普塔;T·D·加思曼;I·R·查玛斯 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F1/02;H03F3/72;H03F1/42;H03F1/22;H03F3/193;H03F1/08
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 基带 处理 电路 装置
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

基带放大器,被配置成将差分信号转换成单端输出电压;以及

输出管脚,被耦合到所述单端输出电压。

2.根据权利要求1所述的装置,所述基带放大器包括:

跨阻抗放大器,被配置成从所述差分信号生成第一差分电压;

低通滤波器,被配置成对所述第一差分电压滤波以生成第二差分 电压;以及

放大器,被配置成从所述第二差分电压生成所述单端输出电压。

3.根据权利要求2所述的装置,其中所述差分信号包括差分电 流,所述跨阻抗放大器进一步包括:

差分放大器,被配置成从所述差分电流生成差分电压;

所述低通滤波器进一步包括将所述低通滤波器的单端端子耦合 到地的电容器。

4.根据权利要求2所述的装置,其中所述差分信号包括差分电 流,其中所述跨阻抗放大器具有从窄带(NB)和宽带(WB)可选择 的带宽。

5.根据权利要求4所述的装置,所述跨阻抗放大器包括NB放 大器和WB放大器,所述NB放大器和所述WB放大器均包括晶体管 输入级,其中所述NB晶体管输入级的面积大于所述WB晶体管输入 级的面积。

6.根据权利要求5所述的装置,进一步包括被耦合到所述NB 晶体管输入级和所述WB晶体管输入级的单个电流源以及被耦合到 所述NB晶体管输入级和所述WB晶体管输入级的单个负载。

7.根据权利要求5所述的装置,进一步包括用于所述NB晶体 管输入级和所述WB晶体管输入级中的每个晶体管输入级的分离的 电流源以及用于所述NB晶体管输入级和所述WB晶体管输入级中的 每个晶体管输入级的分离的负载,其中所述分离的电流源中的每个电 流源可配置成响应于控制信号设置而被开启或被关闭。

8.根据权利要求1所述的装置,其中所述基带放大器是同相(I) 基带放大器,并且所述单端输出电压是I输出电压,所述装置进一步 包括:

正交(Q)基带放大器,被配置成将差分信号转换成单端Q输出 电压;以及

Q输出管脚,被耦合到所述单端Q输出电压;

所述装置进一步包括用于载波聚合系统的每个载波的I基带放大 器和Q基带放大器。

9.根据权利要求2所述的装置,其中所述跨阻抗放大器包括反 馈网络,所述反馈网络具有选择性地可配置的电阻或电容。

10.根据权利要求1所述的装置,其中所述基带放大器具有选择 性地可配置的频率响应。

11.根据权利要求2所述的装置,进一步包括多个开关,以将被 配置成从所述第二差分电压生成所述单端输出电压的所述放大器选 择性地旁路。

12.根据权利要求11所述的装置,所述多个开关包括将所述第 一差分电压的单端电压直接选择性地耦合到所述基带放大器的所述 单端输出电压的开关。

13.根据权利要求11所述的装置,所述多个开关包括:

将所述低通滤波器的第一单端电压直接选择性地耦合到所述基 带放大器的所述单端输出电压的开关;

将所述低通滤波器的第二单端电压选择性地耦合到地的开关。

14.根据权利要求1所述的装置,进一步包括具有被耦合到所述 基带放大器的所述差分信号的输出的电流模式无源混频器。

15.一种装置,包括:

低通滤波器,被配置成对差分信号滤波以生成第一差分电压;以 及

放大器,被配置成从所述第一差分电压生成单端输出电压。

16.根据权利要求15所述的装置,所述低通滤波器包括:

电阻器,在所述差分信号的节点和所述第一差分电压的节点之间 串联耦合;以及

至少一个电容器,将所述电阻器彼此耦合。

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