[发明专利]激光放大装置在审

专利信息
申请号: 201480048329.3 申请日: 2014-05-14
公开(公告)号: CN105531888A 公开(公告)日: 2016-04-27
发明(设计)人: 高崎拓哉;渡边洋次郎;崎村武司;柳泽隆行 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01S3/063 分类号: H01S3/063;H01S3/10
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 激光 放大 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及进行激光放大的激光放大装置。

背景技术

平面波导型激光放大器由波导元件构成,在该波导元件中,由折射率比激光介质 小的包层夹住激光介质的上下两面。在波导元件内,利用芯层与包层的全反射,在波 导模式下传播激光。在平面波导元件内,利用激励光形成反转分布,激光经过该平面 波导元件内,从而被放大。

在向平面波导型激光放大器输入激光时,从在平面波导元件的一部分上形成的防 反射膜输入激光。另外,通过使激光在形成于平面波导元件的相对的侧面的全反射膜 上进行多重反射,延长光路长度,提高放大增益。放大后的激光从在平面波导元件的 一部分上形成的防反射膜输出。在以下的专利文献中记载了该平面波导型激光放大器 的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:US2003/0063884A1

发明内容

发明要解决的课题

在现有的平面波导型激光放大器中,在向平面波导元件输入信号光时,信号光在 平面波导内的激励光通过的部分被放大。不过,虽然在平面波导内信号光未通过的区 域中也由激励光形成反转分布,但该区域无助于信号光的放大。因此,需要减少即使 输入激励光也无助于信号光放大的区域,基于一定的激励光来提高激光的输出。即, 具有改善输出放大光相对于输入激励光的提取效率的课题。

本发明的实施方式是鉴于上述课题而完成的,其目的是改善输出放大光相对于输 入激励光的提取效率。

解决问题的手段

为了达成上述目的,本发明中的激光放大装置的特征在于,具备:平面波导型激 光放大器,其放大所输入的光并输出;以及输入部,其向所述平面波导型激光放大器 同时输入多个光。

发明效果

在本发明的激光放大装置中,能够改善输出放大光相对于输入激励光的提取效 率。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的平面波导型激光放大装置的结构。

图2是本发明的实施方式2的平面波导型激光放大装置的结构。

图3是本发明的实施方式3的平面波导型激光放大装置的结构。

图4是分割来自信号光用激光器的信号光的方法。

图5是分割来自信号光用激光器的信号光的其它方法。

图6是分割来自信号光用激光器的信号光的其它方法。

图7是本发明的实施方式4的平面波导型激光放大装置的结构。

图8是本发明的实施方式5的平面波导型激光放大装置的结构。

具体实施方式

实施方式1.

图1示出本发明的实施方式1的平面波导型激光放大装置的结构。图1(a)示出横 向观察平面波导型激光放大装置的侧视图,图1(b)示出从上方观察的主视图。在图1 中,1表示芯层,2表示包层,3表示激励光,4表示平面波导,5表示激励用半导体 激光器,6表示全反射膜,7a、7b表示防反射膜,8表示第1信号光用激光器,9表 示第2信号光用激光器,10表示第1信号光,11表示第2信号光,12表示激光放大 器,13表示输入部。此外,在各图中,同一标号表示相同或相应部分。

在图1(a)中,平面波导4内的芯层1的材质为固体,可使用一般的激光介质。作 为激光介质,使用吸收从激励用半导体激光器5射出的激励光3的材质。激励用半导 体激光器5是输出激励光3并射入到平面波导4内的激励光源。作为芯层1的介质, 例如采用Nd:YAG、Yb:YAG、Er:YAG、Tm:YAG、Ho:YAG、Nd:YLF、Yb: YLF、Er:YLF、Tm:YLF、Ho:YLF、Nd:Glass、Cr:LiSAF、Ti:Sapphire等。

在平面波导4中,在芯层1的上下表面形成包层2,包层2发挥在芯层1内封入 激励光3的作用。包层2的包覆材料由比芯层1的折射率n1低的折射率n2(n1>n2) 的介质构成。作为包层2的介质,例如可采用SiO2、Al2O3、MgF2等。

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