[发明专利]激光元件和用于制造激光元件的方法

权利要求书

1.一种激光元件（500），具有边缘发射的第一激光芯片（100），所述第一激光芯片（100）具有上侧（101）、下侧（102）、端侧（103）和侧面（104），

其中，发射区（131）被布置在所述端侧（103）上，

其中，所述侧面（104）被定向成垂直于所述上侧（101）和所述端侧（103），

其中，第一金属化层（170）被布置在所述上侧（101）上，

其中，台阶（153）形成在所述侧面（104）上，所述侧面的邻近所述上侧（101）的部分（154）借助于所述台阶而后移，

其中，钝化层（160）被布置在所述侧面（104）的后移部（154）中，

其中，所述激光芯片（100）被布置在载体（400）的表面（401）上，

其中，所述侧面（104）面向所述载体（400）的所述表面（401），

其中，被布置在所述载体（400）的表面（401）上的第一焊接接触件（410）导电性地连接到所述第一金属化层（170），

其中，所述第一金属化层（170）将所述第一激光芯片（100）的上侧（101）连接到第二激光芯片（300）的上侧，

其中，所述第二激光芯片（300）被构造且布置成相对于所述第一激光芯片（100）为镜像对称。

2.如权利要求1所述的激光元件（500），其中，借助于被布置在所述载体（400）的表面（401）上的第二焊接接触件（420），所述第一激光芯片（100）的侧面（104）被连接到所述载体（400）。

3.如权利要求2所述的激光元件（500），其中，所述第二焊接接触件（420）导电性地连接到所述第一激光芯片（100）的下侧（102）。

4.如权利要求1所述的激光元件（500），其中，第二金属化层（180）被布置在所述第一激光芯片（100）的下侧（102）上。

5.如权利要求1所述的激光元件（500），其中，所述第一激光芯片（100）的发射区（131）和所述第二激光芯片（300）的发射区之间的距离（501）小于20 µm。

6.如权利要求1所述的激光元件（500），其中，借助于被布置在所述载体（400）的表面（401）上的第三焊接接触件（430），所述第二激光芯片（300）的侧面被连接到所述载体（400）。

7.如权利要求1所述的激光元件（500），其中，所述上侧（101）和所述发射区（131）之间的距离（132）小于10 µm。

8.如权利要求1所述的激光元件（500），其中，所述侧面（104）的后移部（154）被后移达1µm到10 µm。

9.如权利要求1所述的激光元件（500），其中，在所述第一激光芯片（100）的下侧（102）的方向上，所述侧面（104）的后移部（154）从所述第一激光芯片（100）的上侧（101）延伸达10µm到50 µm。

10.如权利要求1所述的激光元件（500），其中，所述第一激光芯片（100）的p型掺杂区（120）邻近所述上侧（101），其中，所述第一激光芯片（100）的n型掺杂区（110）邻近所述下侧（102）。

11.如权利要求1所述的激光元件（500），其中，所述第一焊接接触件（410）被布置在形成于所述载体（400）的表面（401）上的台阶上。