[发明专利]电力供应诊断策略

说明书

用于离散电力供应诊断状态的电力供应诊断策略独立于下层存储器结构。选择用于关联算法的值以确保将检测到随机链接故障。这适用于具有1、2、4、6、8、12和16个共同网格的平面存储器结构，或者具有有1、2、4、6、8、12和16个连续位拼接的单个位分散存储器的物理存储器结构。此外，策略规定即使编译器优化激活，各种监控电压表也保持不同。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年7月30日提交的美国临时申请No. 61/860,032的权益。该申请的全部公开通过引用合并于此。

背景技术

本发明通常涉及分析和监控离散电力供应诊断状态以及尤其涉及分析计算机微处理器系统电压的方法。

沿着平面存储器中的边缘或者网格会发生链接的存储器随机硬件故障。在平面存储器结构中，可以具有1、2、4、6、8、12和16 个共同网格。例如，当平面存储器的任2条连同平面存储器的2个其它平行条一起背对背建立时出现4个网格或者边缘。平面存储器结构网格典型地由CISC(复杂指令集控制器)使用。

当使用一个或者多个位的列多路复用用于分散的物理存储器中时可能会出现链接的存储器随机硬件故障。在现有分散存储器结构中，可以具有1、2和4位的列多路复用。当一位列多路复用用于“n”个地址时，存在1和2位链接的物理分散存储器故障的可能性。对于2位和4位列多路复用，类似的链接的物理分散存储器故障是可能的。另外，在物理分散的存储器中可能发生6、8、12或者16 个链接的存储器故障。

发明内容

本发明中用于监控离散电力供应诊断状态的方法独立于下层存储器结构。利用所描述的方法，选择使用的值以确保将检测到随机硬件链接错误。这适用于具有1、2、4、6、8、12和16个共同网格的平面存储器结构，或者具有有1、2、4、6、8、12和16个连续位拼接的单个位分散存储器的物理存储器结构。

根据本发明的一个方面，提供了用于诊断工作电压的状态的方法，该方法包括下列步骤：(a)使用处理器读取工作电压并且确定下列状态中的一个：(1)“否”过电压(OV)、“否”欠电压 (UV)；(2)“否”OV、“是”UV；(3)“是”OV、“否”UV或者(4)“是”OV、“是”UV；(b)为在步骤 (a)中标识的状态中的每一个分配不同字节值，其中选择的不同值在功能与故障模式值之间具有至少4的汉明距离；以及(c)将与确定的操作状态相对应的操作状态值存储在处理器的指定存储器位置中。步骤(b)的每个不同字节值可以包括高位有效半字节(USNb) 和低位有效半字节(LSNb)，以及其中所有USNb都是不同的并且选择为具有至少2的汉明距离，以及所有LSNb都是不同的并且选择为具有至少2的汉明距离。优选地，从半字节值的不平衡集选择 USNb和LSNb中的每一个，并且为每个不同值选择USNb和LSNb 中的每一个以使得它们不是彼此的补码。在步骤(c)之前，可以对于与一组定义值中的一个的匹配检查不同的字节值，并且如果有匹配，则不同字节值存储为操作状态值以及如果没有匹配，则存储单独的“不匹配”值。此外，优选地，步骤(b)的不同字节值是字的低位字节并且还包括为字分配高位字节值的步骤，高位字节值包括 USNb和LSNb，以及其中USNb和LSNb中的一个是监控的电压标识符以及USNb和LSNb中的另一个是控制/诊断路径标识符。对于高位字节，从半字节值的平衡集选择USNb和LSNb中的每一个。使用高位字节确保即使编译器优化激活，每个监控电压表也保持不同。

根据本发明的另一个方面，提供了用于诊断工作电压的状态的方法，该方法包括：

(a)使用处理器读取工作电压并且确定下列控制状态中的一个：(1)“否”OV、“否”UV；(2)“否”OV、“是” UV；(3)“是”OV、“否”UV或者(4)“是”OV、“是” UV；

(b)为步骤(a)中识别的控制状态中的每一个分配不同控制字节值；

(c)将与确定的操作状态相对应的操作控制状态值存储在处理器的指定控制存储器位置中。