[发明专利]锂锰复合氧化物、二次电池以及电器设备

权利要求书

1.一种以Li_xMn_yM_zO_w表示的锂锰复合氧化物，

其中，M为选自Ni、Ga、Fe、Mo、In、Nb、Nd、Co、Sm、Mg、Ti、Cu和Zn中的金属元素、或Si或P，

y、z和w都大于0且满足0.26≤(y+z)/w<0.5，

x大于或等于0，且x、y和z满足0≤x/(y+z)<2和0.2<z/y<1.2，

所述锂锰复合氧化物在具有层状岩盐型结晶结构的粒子表面的一部分中具有尖晶石型结晶结构，

并且，所述层状岩盐型结晶结构与所述尖晶石型结晶结构接触。

2.一种以Li_xMn_yM_zO_w表示的锂锰复合氧化物，

其中，M为Li和Mn之外的金属元素、或Si或P，

y和z都大于0，

x、y、z和w满足0≤x/(y+z)<2和0.26≤(y+z)/w<0.5，

所述锂锰复合氧化物在具有层状岩盐型结晶结构的粒子表面的一部分中具有尖晶石型结晶结构，

所述层状岩盐型结晶结构与所述尖晶石型结晶结构接触，

所述层状岩盐型结晶结构属于空间群C12/m1，

在所述层状岩盐型结晶结构中，A(Mn)_2b和A(Ni)_2b的总和大于或等于40％，

其中A(Mn)_2b为2b位置的Mn的占有率，

并且A(Ni)_2b为2b位置的Ni的占有率，

并且，在所述层状岩盐型结晶结构中，A(Mn)_2c+4h和A(Ni)_2c+4h的总和大于或等于0.2％，

其中A(Mn)_2c+4h为以式(1)表示的2c位置的Mn的占有率和4h位置的Mn的占有率，

A(Ni)_2c+4h为以式(2)表示的所述2c位置的Ni的占有率和所述4h位置的Ni的占有率，

并且A(Mn)_2c为所述2c位置的Mn的所述占有率，A(Ni)_2c为所述2c位置的Ni的所述占有率，A(Mn)_4h为所述4h位置的Mn的所述占有率，并且A(Ni)_4h为所述4h位置的Ni的所述占有率，

A(Mn)_2c+4h＝[A(Mn)_2c×1+A(Mn)_4h×2]÷(1+2) 式(1)

A(Ni)_2c+4h＝[A(Ni)_2c×1+A(Ni)_4h×2]÷(1+2) 式(2)。

3.一种以Li_xMn_yNi_zO_w表示的锂锰复合氧化物，

其中，x大于或等于0，

y、z和w都大于0，

x、y、z和w满足0≤x/(y+z)<2、0.26≤(y+z)/w<0.5和0.2<z/y<1.2，

所述锂锰复合氧化物在具有层状岩盐型结晶结构的粒子表面的一部分中具有尖晶石型结晶结构，

所述层状岩盐型结晶结构与所述尖晶石型结晶结构接触，

所述层状岩盐型结晶结构属于空间群C12/m1，

并且，在所述层状岩盐型结晶结构中，a轴的晶格常数大于或等于0.494nm，且b轴的晶格常数大于或等于0.856nm。

4.根据权利要求3所述的锂锰复合氧化物，其中所述层状岩盐型结晶结构的c轴的晶格常数大于或等于0.5021nm。

5.根据权利要求2所述的锂锰复合氧化物，其中以M表示的所述元素为选自Ni、Ga、Fe、Mo、In、Nb、Nd、Co、Sm、Mg、Al、Ti、Cu和Zn中的金属元素、或Si或P。