[发明专利]用于自动银行机的能够经由磁感应接收电力和通信的机柜

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年3月14日提交的美国临时专利申请NO.61/782,740的权益，通过引用将其全部内容结合于此。

技术领域

本发明涉及自动银行机。

背景技术

自动银行机可包括读卡器，该读卡器可操作为从诸如用户卡的不记名记录器(bearer record)上读取数据。自动银行机可操作为使从卡上读取的数据与其他电脑存储的与不记名卡相关的数据进行比较。自动银行机会对这种比较作出反应确定该不记名卡是授权的系统用户，以进行至少一项交易，该交易可操作为向或从至少一个账户转移价值。通常交易记录也由自动银行机操作打印并且提供给用户。用户最常使用的一种自动银行机就是自动取款机(ATM)，该机器能够使用户进行银行交易。所进行的银行交易可包括取款、存款、账户之间资金转账和账户余额查询。用户可利用自动银行机进行的交易类型是由具体机器的能力和操作机器相关的程序决定的。

自动银行机的其他类型可由贸易商操作以进行商业交易。这些交易可包括例如接收存款包裹、接收支票或其他金融票据、提取货币或者贸易商要求的其他交易。还有一些其他类型的自动银行机可由服务供应商在交易环境(例如银行)中用来进行金融交易。这些交易可包括例如现金钞票或者其他金融票据的计数和存储、现金钞票或其他票据的提款、支票或者其他金融工具的映像(imaging)以及其他类型的服务供应商交易。出于本公开的目的，自动银行机、自动交易机或者ATM应被认为包括任何可被用来以电子方式进行涉及自动价值转移的交易的机器。

发明内容

为了提供对示例实施方式的一些方面的基本了解，以下呈现示例实施方式简单概述。本概述不是对示例实施方式的全面概述。其既不旨在确定示例实施方式的关键或者重要的要素，也不是为了界定所附权利要求的范围。本概述的唯一目的是以一种简单的形式呈现示例实施方式的一些概念，作为后面将要呈现的更加详细的描述的序言。

根据示例实施方式，本文公开了一种包括自动银行机模块的装置。该自动银行机模块包括：近场线圈；第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，具有与近场线圈耦接的源极和漏极；第二N沟道MOSFET，具有与第一N沟道MOSFET的源极和近场线圈耦接的漏极；控制器，与第一MOSFET和第二MOSFET耦接并且可操作为控制第一和第二MOSFET；缓冲器，与控制器耦接；反馈电路，与近场线圈和缓冲器耦接，反馈电路包括带通滤波器、增益级放大器和比较器；以及和电流传感器，与第一N沟道MOSFET的漏极耦接。控制器可操作为控制第一MOSFET和第二MOSFET的操作以经由近场线圈电感地为相关机柜提供电力和数据。

根据示例实施方式，本文公开了一种包括货币柜的装置。该货币柜在自动银行机内从操作位置可移动地定位。该货币柜被配置容纳多个种类的纸币。该货币柜包括内部电源电路，该电路包括第一线圈、电源和控制器。货币柜可操作为通过和电源耦接的第一线圈与自动银行机的磁耦合来接收电力和数据。控制器可操作为接收来自电源的电力。控制器可操作为通过改变第一线圈的磁场向自动银行机发送数据。电源包括具有输入端和输出端的整流器、降压转换器和低压差稳压器。整流器的输入端与第一线圈耦接，并且降压转换器和低压差稳压器与整流器的输出端耦接。

根据示例实施方式，本文公开了一种包括自动银行机的装置，该自动银行机包括用户界面并可操作为进行金融交易。自动银行机进一步包括自动银行机模块，该自动银行机模块包括：近场线圈；第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，具有与近场线圈耦接的源极和漏极；第二N沟道MOSFET，具有与第一N沟道MOSFET的源极和近场线圈耦接的漏极；控制器，与第一MOSFET和第二MOSFET耦接，并且可操作为控制第一和第二MOSFET的操作；缓冲器，与控制器耦接；反馈电路，与近场线圈和缓冲器耦接，反馈电路包括带通滤波器、增益级放大器和比较器；以及电流传感器，与第一N沟道MOSFET的漏极耦接。控制器可操作为控制第一MOSFET和第二MOSFET的操作，以经由近场线圈电感地向货币柜提供电力和数据。机柜包括与通信设备可操作耦接的第二线圈，该第二线圈与机柜控制器耦接，其中，通信设备是双接口NFC和I2C设备。

附图说明

图1为示出具有替代实例存款接受设备的自动银行机的示意图。

图2为替代自动银行机的示意图。

图3为在自动银行机中可使用的示例性实施方式的文件保存机柜的横截面示意图。