[发明专利]包括多层涂层的光学元件及包括光学元件的光学装置在审
申请号: | 201480024171.6 | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN105190372A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | R.W.E.范德克鲁伊斯;S.尼亚贝罗;A.E.亚克欣;F.比柯克 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;G03F7/20;G21K1/06;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 多层 涂层 光学 元件 装置 | ||
1.一种光学元件(50),包含:
基板(52);以及
施加于所述基板(52)的多层涂层(51),所述多层涂层包含:
至少一个第一层系统(53),由相同构造的堆叠(X1至X4)的布置组成,各堆叠具有至少两个层(53a-d);以及
至少一个第二层系统(54),由相同构造的堆叠(Y1,Y2)的布置组成,各堆叠具有至少两个层(54a,54b),其中,在所述多层涂层(51)热负载时,所述第一层系统(53)经历各堆叠(X1至X4)的厚度(dX)的不可逆收缩,所述第二层系统(54)经历各堆叠(Y1,Y2)的厚度(dY)的不可逆膨胀。
2.如权利要求1所述的光学元件,其中,所述至少一个第二层系统(54)的堆叠(Y1,Y2)的膨胀补偿所述多层涂层(51)的至少一个第一层系统(53)的堆叠(X1至X4)的收缩。
3.如权利要求1或2所述的光学元件,其中,所述第二层系统(54)的堆叠(Y1,Y2)中的至少一个层(54b)含有硼。
4.如权利要求3所述的光学元件,其中,所述层(54b)由B4C形成。
5.如权利要求4所述的光学元件,其中,由B4C构成的层(54b)具有2nm或更大的厚度(d)。
6.如前述权利要求任一项所述的光学元件,其中,所述第二层系统(54)的堆叠(Y1,Y2)中的至少一个层(54a)含有金属或由金属组成。
7.如权利要求5所述的光学元件,其中,金属从包含Mo和La的组中选择。
8.如前述权利要求任一项所述的光学元件,其中,所述第二层系统(54)的堆叠(Y1,Y2)的各层(54a,54c)含有硼和金属两者,其中,存在相对于所述金属过多的硼。
9.如前述权利要求任一项所述的光学元件,其中,所述第一层系统(53)的堆叠(X1至X4)中的至少一个层(53a,53c)由Mo或Si形成。
10.如前述权利要求任一项所述的光学元件,其中,所述第一层系统(53)的堆叠(X1至X4)中的至少一个层(53b,53d)由B4C形成。
11.如前述权利要求任一项所述的光学元件,其中,所述第一层系统(53)的堆叠(X1至X4)的数目与所述第二层系统(54)的堆叠(Y1,Y2)的数目的比率为4∶2。
12.如前述权利要求任一项所述的光学元件,其中,所述多层涂层(51)设计用于反射EUV辐射(6)。
13.一种光学装置,尤其是光刻设备(1),包含:至少一个如前述权利要求任一项所述的光学元件(7,9,10,11,13,14,50)。
14.如权利要求13所述的光学装置,其中,在所述光学元件(7,9,10,11,13,14,50)由EUV辐射(6)照射引起热负载时,在所述光学元件(7,9,10,11,13,14,50)处反射的所述EUV辐射(6)的质心波长(λZ)是恒定的。
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