[发明专利]热电转换元件的制造方法和热电转换层用分散物的制造方法

权利要求书

1.一种热电转换元件的制造方法，其为在基材上具有第1电极、热电转换层和第2电极的热电转换元件的制造方法，

该制造方法具有以下工序：

至少对纳米导电性材料和分散介质进行高速旋转薄膜分散法，制备含有所述纳米导电性材料的热电转换层用分散物的工序；和

将所制备的热电转换层用分散物涂布至所述基材上，并进行干燥的工序。

2.如权利要求1所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述热电转换层用分散物的固体成分浓度为0.5w/v％～20w/v％。

3.如权利要求1或2所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述热电转换层用分散物的固体成分中的所述纳米导电性材料的含量为10质量％以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述热电转换层用分散物的粘度为10mPa·s以上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述高速旋转薄膜分散法以10m/sec～40m/sec的圆周速度进行。

6.如权利要求1～5中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，进一步对分散剂进行高速旋转薄膜分散法。

7.如权利要求6所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述分散剂为共轭高分子。

8.如权利要求1～7中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，进一步对非共轭高分子进行高速旋转薄膜分散法。

9.如权利要求1～8中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述纳米导电性材料为选自由碳纳米管、碳纳米纤维、富勒烯、石墨、石墨烯、碳纳米颗粒和金属纳米线组成的组中的至少一种。

10.如权利要求1～9中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述纳米导电性材料为碳纳米管。

11.如权利要求1～10中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述纳米导电性材料为单层碳纳米管，该单层碳纳米管的直径为1.5nm～2.0nm，其长度为1μm以上，且G/D比为30以上。

12.如权利要求1～11中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，利用印刷法将所述热电转换层用分散物涂布至所述基材上。

13.如权利要求1～12中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，利用动态光散射法测定的所述热电转换层用分散物中的所述纳米导电性材料的平均粒径D为1000nm以下。

14.如权利要求1～13中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，利用动态光散射法测定的所述热电转换层用分散物中的所述纳米导电性材料的粒径分布的半峰宽dD与平均粒径D之比dD/D为5以下。

15.一种热电转换层用分散物的制造方法，其为用于形成热电转换元件的热电转换层的热电转换层用分散物的制造方法，其中，至少对纳米导电性材料和分散介质进行高速旋转薄膜分散法，使纳米导电性材料分散于分散介质中。