[发明专利]光记录介质有效
| 申请号： | 201480017825.2 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105051817B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 高桥谦作;太田阳;小坂英宽 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11B7/24038 | 分类号： | G11B7/24038 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;谢雪闽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
1.一种光记录介质，包括：
三个再现层，包括包含金属的第一再现层、包含金属的第二再现层和包含金属氧化物的第三再现层，
其中，在受到再现光照射的表面一侧上的所述三个再现层的反射率R1、R2和R3等于或者大于5％，
其中，从所述反射率R1、R2和R3中选出的任意两个反射率之间的差值delta R的绝对值等于或者小于7％，
其中，所述第三再现层位于与所述表面最接近的位置处。
2.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中，所述金属氧化物包含从包括W、Fe、Ti、In、Sn、Si和Zr的组中选出一种或多种元素。
3.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中，所述三个再现层之中的位于与所述表面最接近的位置处的再现层的膜厚度在等于或者大于15nm且等于或者小于50nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中，在受到再现光照射的所述表面一侧上的所述三个再现层的所述反射率R1、R2和R3等于或者大于7％且等于或者小于14％。
5.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中，所述三个再现层之中的位于与所述表面最接近的位置处的再现层的折射系数在等于或者大于2.0且等于或者小于2.7的范围内，和
其中，所述三个再现层之中的位于与所述表面最接近的位置处的再现层的消光系数在等于或者大于0.01且等于或者小于0.5的范围内。
6.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中，所述三个再现层之中的位于与所述表面最接近的位置处的再现层包含金属氮化物。
7.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中，所述第三再现层的膜厚度大于所述第一再现层和所述第二再现层的膜厚度。
8.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中，所述第三再现层的凹坑深于或者高于所述第一再现层和所述第二再现层的凹坑。
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