[发明专利]自行定心处理屏蔽件

说明书

领域

本发明的实施方式一般而言涉及物理气相沉积处理设备。

背景

在当前的物理气相沉积(PVD)腔室中，处理屏蔽件通常安装至PVD腔室的主体，与靶分离。该靶通常安装于PVD腔室的可移动盖上，且随后下降至该腔室主体上用于处理。然而，本发明人已发现，该配置可不理想地导致处理屏蔽件不精确地对准该靶。本发明人已发现，当施加至该靶的射频(RF)能量的频率增加时，对于控制任何等离子体不规则及电弧事件(所述事件可负面地影响PVD腔室内的沉积质量)，该靶与该屏蔽件之间的对准变得更加重要。当前的PVD腔室使用与该靶及该处理屏蔽件分离的特征结构，以对准这两个组件。然而，本发明人已注意到，这样的特征结构不能充分对准该靶及该处理屏蔽件。

因此，本发明人已提供用于PVD处理的改良装置。

概述

本文提供用于物理气相沉积的方法和装置。在一些实施方式中，用于具有腔室盖(该腔室盖包含耦接至该腔室盖的靶)的基板处理腔室中的处理屏蔽件包括：伸长环形主体，该伸长环形主体具有外表面和内表面，该内表面界定该主体的中央开口；唇，该唇自该主体的外表面(该主体的第一端附近的外表面)向外径向延伸，使得该主体的第一部分向该第一端延伸超过该唇；多个开口，所述多个开口位于唇中；和销，该销设置于所述多个开口的每一者中，以在盖置放于该处理屏蔽件的顶部上时使靶对准于该处理屏蔽件的顶部上，其中该销包含：伸长主体，该伸长主体具有：第一表面，该第一表面具有斜的周缘，其中该第一表面具有第一直径；第二表面，该第二表面与第一表面相对，其中该第二表面具有第二直径；和侧壁，该侧壁位于该第一表面与该第二表面之间，其中该侧壁具有凹面部分，该凹面部分具有第三直径。

在一些实施方式中，本文提供处理屏蔽件，该处理屏蔽件用于在基板处理腔室中使用，该处理腔室具有腔室盖，该腔室盖包含耦接至该腔室盖的靶。该处理屏蔽件包含伸长环形主体，该伸长环形主体具有外表面和内表面，该内表面界定该主体的中央开口；唇，该唇自该主体的外表面(位于该主体之第一端附近的外表面)向外径向延伸，使得该主体的第一部分向该第一端延伸超过该唇；三个开口，该三个开口位于唇中；以及销，该销设置于所述三开口的每一者中，以在盖置放于该处理屏蔽件的顶部时，使靶对准于该处理屏蔽件的顶部上，其中各销包含：伸长主体，该伸长主体具有：第一表面，该第一表面具有第一直径与斜的周缘；第二表面，该第二表面与第一表面相对，且具有第二直径；以及侧壁，该侧壁设置于该第一表面与该第二表面之间，其中该侧壁具有凹面部分，该凹面部分具有第三直径；其中所述三个销啮合该靶，以使该靶的外缘对准为与该主体的内表面相距第一距离。

在一些实施方式中，基板处理腔室包括：腔室主体；腔室盖，该腔室盖设置于该腔室主体的顶部，其中该腔室盖包含旋转轴，该旋转轴配置为将该腔室盖旋转至该腔室主体上；靶组件，该靶组件设置于该腔室盖之内，其中该靶组件包含耦接至背板的靶材料；和处理屏蔽件，该处理屏蔽件设置于该腔室主体之内，且位于该靶组件之下，该处理屏蔽件包含：伸长环形主体，该伸长环形主体具有外表面及及内表面，该内表面界定该主体的中央开口；唇，该唇自该主体的外表面(该主体之第一端附近的外表面)向外径向延伸，使得该主体的第一部分向该第一端延伸超过该唇；多个开口，所述多个开口位于该唇中；和销，该销设置于所述多个开口的每一者中，以在该盖置放于该处理屏蔽件的顶部时，使靶组件对准于该处理屏蔽件的顶部，其中该销包含：伸长主体，该伸长主体具有第一表面，该第一表面具有斜的周缘，其中该第一表面具有第一直径；第二表面，该第二表面与该第一表面相对，其中该第二表面具有第二直径；和侧壁，该侧壁位于该第一表面与该第二表面之间，其中该侧壁具有凹面部分，该凹面部分具有第三直径。

以下将描述本发明的其他及另外的实施方式。

附图简要说明

通过参考附图中描绘的本发明的说明性实施方式，可了解以上简短概括及以下更详细论述的本发明的实施方式。然而应注意，附图仅图示本发明的典型实施方式，且因为本发明可承认其他同等有效的实施方式，所以所述附图并不欲视为本发明的范围的限制。

图1图示根据本发明的一些实施方式的处理腔室的横截面示意图。

图2图示根据本发明的一些实施方式的处理屏蔽件的示意图。