[发明专利]保护膜在审
申请号: | 201480004098.6 | 申请日: | 2014-11-21 |
公开(公告)号: | CN104903976A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 李熙济;金贤哲;朴容秀 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B32B7/12 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;徐琳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 保护膜 | ||
技术领域
本发明涉及一种保护膜,包括所述保护膜的导电层压体,以及包括所述保护膜的偏光板。
背景技术
本发明涉及一种保护膜。所述保护膜可以应用于导电层压体或偏光板。
透明电极用于多种领域中,例如各种显示设备、光电转换器(如太阳能电池等)、触摸板等的电极,且通过在透明基板(如玻璃、透明膜等)上形成透明导电薄层来制造。所述导电薄层需要保护膜在工艺中防止对所述薄层的损害(如污染、刮擦等)。
此外,所述偏光板也需要所述保护膜在由所述偏光板制造为LCD组件的过程期间保护所述偏光板以防外部的碰撞或摩擦,以及污染。
需要上述保护膜具有起初将所述保护膜固定于粘附物的程度的压敏粘合性,以及在工艺完成之后允许将所述保护膜从所述粘附物剥离而不会损伤所述粘附物的低剥离强度。此外,所述保护膜中包含的压敏粘合剂需要聚合稳定性和足够的适用期。有一种形成大量的交联以实现低剥离强度的方法,但是上述方法可导致聚合稳定性或适用期等降低的问题。此外,当向所述保护膜引入添加剂时,剥离是容易的,但可能产生所述添加剂迁移至所述粘附物的问题,从而导致了光学物理性能等的下降。
作为在先专利的专利文件1提出了一种用于防止对所述导电薄层的损害(如污染、刮擦等)的保护膜。
[技术文献]
[专利文件]
(专利文件1)日本专利申请第4342775号。
发明内容
[技术问题]
本发明旨在一种保护膜,包括所述保护膜的导电层压体,以及包括所述保护膜的偏光板,并提供保护膜,所述保护膜具有控制为低的剥离强度,因而有助于保护膜的移除,并且所述保护膜具有优异的聚合稳定性和适用期,可以防止由于添加剂而导致的所述添加剂转移至粘附物的问题。
[技术方案]
根据本发明的一个方面,提供了一种保护膜。所述保护膜可应用于导电层压体,并可用于防止在导电层压体的制造过程中对导电层的损害(如污染、刮擦等)。此外,本发明的一个实施方式的保护膜可应用于偏光板,并可在由所述偏光板制造为LCD组件的过程期间保护所述偏光板以防外部的碰撞或摩擦,以及污染。
一种示例性的保护膜包括含有压敏粘合剂基础树脂的压敏粘合剂层。所述压敏粘合剂基础树脂可包含聚有机硅氧烷作为聚合单元。即可将所述聚有机硅氧烷引入所述树脂中作为聚合单元。
在本发明的一个实施方式中,所述聚有机硅氧烷的聚合单元可衍生自以下式1的化合物。作为本说明书中所用的“衍生自”,例如,可指的是,在聚有机硅氧烷的聚合单元形成聚合物之前,聚有机硅氧烷可由能够成为聚合物的单元的具体化合物形成。
[式1]
在式1中,n可以是0-1500范围内的整数。在本发明的实施方式中,n可以是5-1300、10-1000、15-800、20-500、25-400、30-300、35-200或40-180范围内的整数。当控制所述聚有机硅氧烷的链长时,所述聚有机硅氧烷可适当包含于所述压敏粘合剂基础树脂中作为聚合单元,从而可获得适于所述保护膜的低剥离强度和聚合稳定性。此外,R可代表相同或不相同的组分,且可分别代表氢、烷基、烷氧基、烯基或炔基。在以上描述中,例如,R可为含有1至30个碳原子的烷基,更具体地,为甲基、乙基或丙基。
除非另有规定,本说明书中所用术语“烷基”可指的是具有1至20个碳原子、1至16个碳原子、1至12个碳原子、1至8个碳原子或1至4个碳原子的直链或支链烷基,或具有3至20个碳原子、3至16个碳原子或4至12个碳原子的环烷基。所述烷基可以任意地被一个或多个取代基所取代。
除非另有规定,本说明书中所用术语“烷氧基”可指的是具有1至8个碳原子或1至4个碳原子的烷氧基。所述烷氧基可具有直链、支链或环形。此外,所述烷氧基可以任意地被一个或多个取代基所取代。
此外,除非另有规定,本说明书中所用的“烯基”可指的是具有2至20个碳原子、2至16个碳原子、2至12个碳原子、2至8个碳原子或2至4个碳原子的烯基。所述烯基可具有直链、支链或环形。此外,所述烯基可以任意地由一个或多个取代基所取代。
此外,除非另有规定,本说明书中所用的“炔基”可指的是具有2至20个碳原子、2至16个碳原子、2至12个碳原子、2至8个碳原子或2至4个碳原子的炔基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG化学株式会社,未经LG化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480004098.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:接合线用铜线材及接合线用铜线材的制造方法
- 下一篇:基于负离子的中性束注入器