[实用新型]一种双边沿触发电路有效

专利信息
申请号: 201420806638.X 申请日: 2014-12-17
公开(公告)号: CN204349940U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 杨健;姚毅;张见;荣忠祥;冯娜 申请(专利权)人: 上海凌云天博光电科技有限公司
主分类号: H03K3/02 分类号: H03K3/02
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 201807 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 双边 触发 电路
【权利要求书】:

1.一种双边沿触发电路,其特征在于,包括:互相连接的电压选通控制电路和比较分压电路,其中,

所述电压选通控制电路分别与外接电路和第一基准电源相连接,所述电压选通控制电路接收所述外接电路传输的输出信号,将所述输出信号转化成控制信号,并将所述控制信号传输至所述比较分压电路;

所述比较分压电路与第二基准电源相连接,在接收到所述电压选通控制电路输出的所述控制信号后,所述比较分压电路将所述控制信号与所述第二基准电源提供的基准电压相比较,产生相应的触发信号,并将所述触发信号传输至单片机。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电压选通控制电路包括:左控制电路、右控制电路和选通比较电路,其中,

所述左控制电路分别与外接电路,以及第一基准子电源相连接,在接收到所述外接电路产生的输出信号后,所述左控制电路根据所述输出信号,产生相应的下降沿波形或上升沿波形,其中,所述第一基准电源包括所述第一基准子电源;

所述右控制电路分别与外接电路,以及第二基准子电源相连接,在接收到所述外接电路产生的输出信号后,所述右控制电路根据所述输出信号,产生与所述左控制电路相反的波形,其中,若所述左控制电路产生下降沿波形,则所述右控制电路产生上升沿波形,若所述左控制电路产生上升沿波形,则所述右控制电路产生下降沿波形,所述第一基准电源包括所述第二基准子电源;

所述选通比较电路分别与所述左控制电路,以及右控制电路相连接,在接收到所述左控制电路和右控制电路产生的波形后,所述选通比较电路对所述波形进行选通处理,并输出控制信号。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述左控制电路包括:第六电阻、第五电容、第三电容、第四电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第四电阻、第七电阻、第七电容和第十电阻,其中,

所述第六电阻的第一端与所述外接电路相连接,接收所述单片机传输的所述输出信号,所述第六电阻的第二端与所述第五电容的第一端,以及所述第二NMOS管的栅极相连接;

所述第五电容的第一端与所述第六电阻的第二端相连接,所述第五电容的第二端接地;

所述第二NMOS管的漏极与所述第四电容的第二端,以及所述第七电阻的第二端相连接,所述第二NMOS管的栅极与所述第五电容的第一端,以及所述第六电阻的第二端相连接,所述第二NMOS管的源极接地;

所述第三电容的第一端接地,第二端分别与第一基准子电源、第四电容的第一端和第七电阻的第一端相连接;

所述第四电容的第一端接地,第二端分别与第七电阻的第二端、第一NMOS管的栅极,以及第二NMOS管的漏极相连接;

所述第一NMOS管的栅极分别与第七电阻的第二端、第四电容的第二端,以及第二NMOS管的漏极相连接,所述第一NMOS管的漏极与所述第四电阻的第二端相连接,所述第一NMOS管的源极分别于第七电容的第一端、第十电阻的第一端,以及所述选通比较电路相连接;

所述第四电阻的第一端与所述第三电容的第二端相连接,所述第四电阻的第二端与所述第一NMOS管的漏极相连接;

所述第七电阻的第一端分别与所述第一基准子电源、第三电容的第二端,以及第四电阻的第一端相连接,所述第七电阻的第二端分别与所述第四电容的第二端、第一NMOS管的栅极,以及第一NMOS管的漏极相连接;

所述第七电容的第一端分别与所述第一NMOS管的源极、第十电阻的第一端,以及所述选通比较电路相连接,所述第七电容的第二端接地;

所述第十电阻的第一端分别与所述第一NMOS管的源极和所述选通比较电路相连接,所述第十电阻的第二端接地。

4.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述右控制电路包括:第五电阻、第九电阻和第六电容,其中,

所述第五电阻的第一端与所述外接电路相连接,接收所述单片机传输的所述输出信号,所述第五电阻的第二端与第二基准子电源相连接;

所述第九电阻的第一端分别与所述外接电路,以及所述第五电阻的第一端相连接,所述第九电阻的第二端分别与所述选通比较电路,以及所述第六电容的第一端相连接;

所述第六电容的第一端分别与所述第九电阻的第二端,以及所述选通比较电路相连 接,所述第六电容的第二端接地。

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