[实用新型]基于非晶态合金材料的磁场传感器的驱动电路

权利要求书

1.基于非晶态合金材料的磁场传感器的驱动电路，包括磁芯激励部分、磁芯重置部分、信号采样和放大部分、电源部分，其特征在于：

所述电源部分的VCC为直流电源，其电压范围为+1.8V～+12V；

所述磁芯激励部分由第一电阻(R1)，第一电容(C1)，第二开关(SW2)和第四电阻(R4)组成，第四电阻(R4)的一端连接磁场传感器(E1)的磁芯的上输入端子(a)，磁芯的下输入端子(b)接地；直流电源通过限流的第一电阻(R1)对第一电容(C1)进行充电，第一电阻(R1)起到限流和隔离的作用，以减小第一电容(C1)在充放电时对电源造成的压降影响；第四电阻(R4)起到限制磁芯电流的作用，目的在于防止磁芯上的电流过大；通过控制第二模拟开关或场效应晶体管的控制端子(P2)的高低电平可实现第二开关(SW2)的通断，从而控制磁芯的激励电流的通断；

所述磁芯重置部分由第二电阻(R2)，第二电容(C2)，第三电阻(R3)，二极管(D1)，第一开关(SW1)、第三开关(SW3)和第四开关(SW4)组成，第三开关(SW3)的一端连接磁场传感器(E1)的金属接收线圈的上输出端子(c)，第四开关(SW4)的一端连接金属接收线圈的下输出端子(d)；

所述信号采样和放大部分由第五开关(SW5)和第六开关(SW6)、第三电容(C3)和第四电容(C4)、第五电阻(R5)和第六电阻(R6)以及差分放大器或仪表放大器(A1)组成，所述第五开关(SW5)、第六开关(SW6)和第三电容(C3)、第四电容(C4)构成对称的采样电路结构，第五开关(SW5)的一端连接磁场传感器(E1)的金属接收线圈的上输出端子(c)，第六开关(SW6)的一端连接金属接收线圈的下输出端子(d)。

2.根据权利要求1所述的基于非晶态合金材料的磁场传感器的驱动电路，其特征在于：

所述磁场传感器(E1)，包括绝缘基板(1)、高导磁率非晶丝、非晶薄膜或非晶带做成的磁芯(2)、非磁性导电金属(3)、结构对称的非磁性金属接收线圈(4)，在绝缘基板(1)上放置或加工偶数条上下平行且首尾相连、相互串联的磁芯(2)，每条磁芯(2)的左、右两端分别连接一段非磁性导电金属(3)；在串联的磁芯(2)外部缠绕有一个或一组结构对称的非磁性金属接收线圈(4)；磁芯的上输入端子(a)、下输入端子(b)分别连通传感器最上部、最下部两个磁芯(2)的某一端的非磁性导电金属(3)并位于传感器的一侧，而金属接收线圈的上输出端子(c)和下输出端子(d)相互靠近并位于传感器的另一侧。

3.根据权利要求2所述的基于非晶态合金材料的磁场传感器的驱动电路，其特征在于：

所述磁芯(2)具有短轴异向性磁畴结构，磁芯的材料可为钴基非晶材料，或镍基非晶材料，或铁基非晶材料；非晶薄膜、非晶带的厚度范围为0.01um～100um，非晶丝的直径范围为2um～100um，磁芯的长度范围为0.05mm～20mm。

4.根据权利要求3所述的基于非晶态合金材料的磁场传感器的驱动电路，其特征在于：采用100匝的普通绕线线圈和四条磁芯的结构；将每一条磁芯(2)切分为若干段等长的小段，每条小段之间使用非磁性导电金属(3)连通；采用直径为10um的CoFeSiB非晶丝作为磁芯(2)，其长度为0.8mm。