[实用新型]用于电磁阀的电磁驱动装置

权利要求书

1.一种用于电磁阀的电磁驱动装置，其特征在于，包括一个磁场生成单元、一个被动件和一个电路控制器，其中所述磁场生成单元形成一个驱动室，所述被动件被设置在驱动室内，所述电路控制器分别与所述磁场生成单元和电源可通电地相连接，其中该被动件与该电磁阀的阀芯物理性地相连接，其中当该电磁驱动装置被提供适当电流后，该电磁驱动装置的磁场生成单元能够生成一个穿过该驱动室的磁场。

2.根据权利要求1所述的电磁驱动装置，其中所述磁场生成单元包括一个电磁线圈和一个磁感应元件，其中所述电磁线圈缠绕在所述磁感应元件，所述磁感应元件形成所述驱动室，其中所述电磁线圈与所述电路控制器可通电地相连接，其中所述磁感应元件和所述被动件均由软磁性材料制成。

3.根据权利要求2所述的电磁驱动装置,其中所述电路控制器包括一个输入模块、一个降压模块、一个电压切换模块和一个输出模块，其中所述输入模块分别与所述降压模块和所述电压切换模块可通电地相连接，所述降压模块分别与所述输入模块和所述电压切换模块可通电地相连接，所述电压切换模块分别与所述输入模块、所述降压模块和所述输出模块可通电地相连接，其中所述电压切换模块被设置以能够在在启动所述电磁阀时，提供所述启动电流，和在所述电压切换模块收到一个电压切换信号后，提供维持电流。

4.根据权利要求3所述的电磁驱动装置，其中所述电路控制器进一步包括一个电流检测模块和一个浪涌电流抑制模块，其中所述电流检测模块分别与所述电压切换模块和所述浪涌电流抑制模块可通电地相连接，所述浪涌电流抑制模块分别与所述电压切换模块和所述降压模块可通电地相连接，其中所述电流检测模块能够检测流经所述电压切换模块的电流的大小，并将检测结果发送至所述降压模块，所述降压模块能够根据所述检测结果调节流经所述电压切换模块的电流大小。

5.根据权利要求4所述的电磁驱动装置，其中所述电路控制器进一步包括一个整流模块，其中所述整流模块分别与所述输入模块、所述降压模块和所述电压切换模块可通电地相连接，其中所述电压切换模块和所述降压模块分别通过所述整流模块与所述输入模块可通电地相连接。

6.根据权利要求5所述的电磁驱动装置，其中所述电路控制器进一步包括一个防震荡模块，其中所述防震荡模块分别与所述电压切换模块与所述输出模块可通电地相连接，且所述电压切换模块通过所述防震荡模块与所述输出模块可通电地相连接。

7.根据权利要求6所述的电磁驱动装置，其中所述电路控制器进一步包括一个过温保护模块和一个短路保护模块，其中所述过温保护模块与所述降压模块双向连接，所述短路保护模块分别与所述电流检测模块和所述浪涌电流抑制模块可通电地接。

8.根据权利要求7所述的电磁驱动装置，其中所述电路控制器进一步包括一个能够检测所述电磁阀启动情况的启动检测模块，其中所述启动检测模块与所述电压切换模块可通电地相连接，其中所述启动检测模块在检测到所述电磁阀被启动时，所述启动检测模块能够生成所述电压切换信号并将所述电压切换信号向所述电压切换模块发送。

9.根据权利要求1所述的电磁驱动装置，其中所述电路控制器进一步包括一个外围电路，其中所述外围电路所述外围电路包括电感、MOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中所述电感的一端适于所述第二二极管的反向端可通电地相连接，另一端分别与所述第三电容的一端、所述第三二极管的反向端可通电地相连接；所述第二二极管的正向端分别与所述第三电容的另一端和第三二极管的正向端可通电地相连接；所述第二电容和所述第四电容的一端分别与外部电源可通电地相连接；所述第二电阻的—端适于与一个集成芯片可通电地相连接，另一端分别接入所述第一电容的一端、所述第三电阻的一端、所述第一二极管的反向端和所述MOS管的栅极；所述第一二极管的正向端、所述第三电阻的另一端、所述第一电容的另一端和所述MOS管的源极均接地；所述MOS管的漏极与所述第二电容的另一端可通电地连接。

10.根据权利要求8所述的电磁驱动装置，其中所述电路控制器进一步包括一个外围电路，其中所述外围电路所述外围电路包括电感、MOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中所述电感的一端适于所述第二二极管的反向端可通电地相连接，另一端分别与所述第三电容的一端、所述第三二极管的反向端可通电地相连接；所述第二二极管的正向端分别与所述第三电容的另一端和第三二极管的正向端可通电地相连接；所述第二电容和所述第四电容的一端分别与外部电源可通电地相连接；所述第二电阻的—端适于与一个集成芯片可通电地相连接，另一端分别接入所述第一电容的一端、所述第三电阻的一端、所述第一二极管的反向端和所述MOS管的栅极；所述第一二极管的正向端、所述第三电阻的另一端、所述第一电容的另一端和所述MOS管的源极均接地；所述MOS管的漏极与所述第二电容的另一端可通电地连接。