[实用新型]一种新型内置式SAS 12G RAID存储卡有效
申请号: | 201420710011.4 | 申请日: | 2014-11-24 |
公开(公告)号: | CN204203856U | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 杨明涛 | 申请(专利权)人: | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/16 | 分类号: | G06F1/16 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 姜明 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 内置 sas 12 raid 存储 | ||
技术领域
本实用新型涉及服务器数据存储设备技术领域,特别涉及一种新型内置式SAS 12G RAID存储卡。
背景技术
随着计算机技术的飞速发展,各种信息数据的重要性越来越明显。针对数据的存储保护,是各服务器厂商优先发展的技术之一。数据的存储保护,主要通过对当前磁盘上的数据,进行各种算法的备份实现,以防突如其来的磁盘损坏,或者其他各种原因导致的数据不可被访问,或者部分数据已经损坏。备份后的数据,可以在数据失败之后,第一时间恢复到生产磁盘上,从而最大程度的降底损失。
RAID (Redundant Array of Independent Disks)即独立磁盘冗余阵列,是实现数据存储备份的主要技术。RAID技术将多个单独的物理磁盘以不同的方式组合成一个逻辑磁盘,从而提高了磁盘的读写性能和数据安全性。根据不同的算法可以分为不同的RAID级:Raid0/1/2/3/4/5/6。同时采用两种不同的RAID方式还能组合成新的RAID级,如Raid10/50/60,以便满足对磁盘容量、数据冗余、或者存储系统性能等需要。本实用新型根据上述技术,设计了一种内置式SAS 12G RAID存储卡,具有兼容性好,传输数据快的优点。
FCI的Mini-SAS HD产品完全符合SFF-8643(内部应用)和SFF-8643(外部应用)行业规范。可提供的内部和外部板式连接类型包括1x1 (4 x), 1 x 2 (8 x) 和1 x 4 ( 16 x )配置,为最终客户提供选择和设计灵活性。
发明内容
本实用新型为了弥补现有技术的缺陷,提供了一种能够轻松装卸的新型内置式SAS 12G RAID存储卡。
本实用新型是通过如下技术方案实现的:
一种新型内置式SAS 12G RAID存储卡,其特征在于:包括存储卡板卡,所述存储卡板卡上设有SAS主控芯片,内置SAS端口和超级电容模块接口,存储卡板卡前端设有机箱固定挡片,存储卡板卡下方连接有PCIE接口;所述内置SAS端口位于存储卡板卡后端。
所述SAS主控芯片为SAS RoC芯片PMC PM8060。
所述内置SAS端口是1个内置式1x2 SFF-8643连接器,为MiniSAS HD接口,支持8个SAS/SATA设备。
所述PCIE接口为PCIE Gen3 x8,采用金手指方式。
其RAID级是RAID 0,1,10,1E,5,6,50,60。
其RAID盘位数至多支持256个。
本实用新型的有益效果是:该新型内置式SAS 12G RAID存储卡,采用SFF-8643 Mini-SAS HD接口,适用于存储主机内部SAS模块互联;同时支持SAS12G SSD和HDD,实现了PCIE与SAS协议间的数据转换;还能够通过Raid算法实现数据的备份保护;另外,本实用新型采用超级电容方式,能够做到数据高效长期保存,有益于缓存数据的保护;而且支持磁盘阵列大,RAID盘位数最大支持256个。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
附图1为本实用新型的结构示意图;
图中,1、存储卡板卡,2、SAS主控芯片,3、内置SAS端口,4、PCIE接口,5、超级电容模块接口,6、机箱固定挡片。
具体实施方式
附图为本实用新型的一种具体实施例。该新型内置式SAS 12G RAID存储卡,包括存储卡板卡1,所述存储卡板卡1上设有SAS主控芯片2,内置SAS端口3和超级电容模块接口5,存储卡板卡1前端设有机箱固定挡片6,存储卡板卡1下方连接有PCIE接口4;所述内置SAS端口3位于存储卡板卡1后端。
所述SAS主控芯片2为SAS RoC芯片PMC PM8060。
所述SAS主控芯片2为SAS RoC芯片PMC PM8060。
所述内置SAS端口3是1个内置式1x2 SFF-8643连接器,为Mini-SAS HD接口,支持8个SAS/SATA设备。支持SAS 12Gb/s & SATA 6 Gb/s,并向下兼容。支持SAS、SATA接口的SSD、HDD、Tape Devices。
所述PCIE接口4为PCIE Gen3 x8,采用金手指方式。
超级电容模块接口5支持超级电容方案,能够实现高速缓存数据保护。
其RAID级是RAID 0,1,10,1E,5,6,50,60。
其RAID盘位数至多支持256个。
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