[实用新型]像素电路和显示装置有效
| 申请号: | 201420681588.7 | 申请日: | 2014-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN204117568U | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
| 发明(设计)人: | 孙拓 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 电路 显示装置 | ||
1.一种像素电路,其特征在于,包括:第一子像素电路和至少一个第二子像素电路以及一个补偿共享电路;其中,
每一个子像素电路均包含产生驱动电流的驱动晶体管以及用于拉高所述驱动晶体管栅极电压的电容;所述第一子像素电路中,还包括阈值补偿电路,所述阈值补偿电路与第一子像素电路中的电容相连,用于对该电容补偿第一子像素电路中的驱动晶体管的阈值电压;
所述补偿共享电路,第一端与所述第一子像素电路的电容相连,第二端与所述至少一个第二子像素电路的电容相连,用于在所接入的控制信号的控制下使所述第一端和所述第二端导通,以使所述阈值补偿模块在对所述第一子像素电路的电容进行阈值补偿的同时对所述至少一个第二子像素电路的电容进行阈值补偿。
2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述补偿共享电路包括一个共享控制晶体管,所述共享控制晶体管的源极和漏极中的其中一个极端连接所述第一子像素电路中的电容的一端,另一个极端分别连接所述至少一个第二子像素电路中的电容的一端。
3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述共享控制晶体管具体连接各个电容的第一端;
每一个子像素电路中还包含一个写控制晶体管,写控制晶体管连接在电容的第二端与该子像素电路的数据电压输入端之间。
4.如权利要求3所述的像素电路,其特征在于,还包括至少一个重置控制晶体管,且至少有一个重置控制晶体管连接多个电容,用于对多个电容进行重置。
5.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,各个子像素电路的驱动晶体管为P沟道晶体管;每一个子像素电路还包括发光控制晶体管,该发光控制晶体管连接在驱动晶体管的漏极与电致发光元件之间;所述阈值补偿模块包括一个补偿控制晶体管,所述补偿控制晶体管的源极或漏极中的一极与所述第一子像素电路中的驱动晶体管的漏极相连,另一极与所述第一子像素电路中的电容的第一端相连;
在所述第一子像素电路中,驱动晶体管的栅极与电容的第一端相连;在所述至少一个第二子像素电路中,驱动晶体管的栅极与电容的第二端相连;所述至少一个重置控制晶体管的漏极连接各个电容的第一端。
6.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述第一子像素电路中的写控制晶体管的栅极连接所述像素电路的第一控制信号输入端;所述至少一个第二子像素电路中的写控制晶体管以及重置控制晶体管的栅极均连接第二控制信号输入端;补偿控制晶体管以及共享控制晶体管的栅极均连接所述像素电路的第三控制信号输入端;各个发光控制晶体管的栅极均连接第四控制信号输入端;且栅极连接到同一输入端的各个晶体管的沟道类型相同。
7.如权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述第一子像素电路中,还包括一个跳变控制晶体管,所述跳变控制晶体管连接在驱动晶体管的源极与电容的第二端之间,栅极连接第三控制信号输入端;且所述第一控制信号输入端和所述第三控制信号输入端为同一输入端。
8.如权利要求3所述的像素电路,其特征在于,
各个子像素电路中,驱动晶体管为P沟道晶体管,栅极均与电容的第一端相连;每一个子像素电路还包括发光控制晶体管,该发光控制晶体管连接在驱动晶体管的漏极与电致发光元件之间;所述阈值补偿模块包括一个补偿控制晶体管,所述补偿控制晶体管的源极或漏极中的一极与所述第一子像素电路中的驱动晶体管的漏极相连,另一极与所述第一子像素电路中的电容的第一端相连。
9.如权利要求3所述的像素电路,其特征在于,各个子像素电路的驱动晶体管为N沟道晶体管,栅极均连接至电容的第一端;每一个子像素电路还包括发光控制晶体管,该发光控制晶体管连接在驱动晶体管的漏极与电致发光元件之间;所述阈值补偿模块包括一个补偿控制晶体管,所述补偿控制晶体管的源极或漏极中的一极与所述第一子像素电路中的驱动晶体管的源极相连,另一极接地;
所述像素电路还包括充电控制晶体管,所述充电控制晶体管的源极或漏极中的一极与其中一个子像素电路中的电容的第一端相连。
10.如权利要求9所述的像素电路,其特征在于,所述充电控制晶体的另一极连接所述像素电路的工作电压输入端。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-10任一项所述的像素电路。
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