[实用新型]一种可控硅投切的无功功率补偿装置有效
| 申请号： | 201420641004.3 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN204089209U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 黄红军;高庆雨;黄华 | 申请（专利权）人： | 上海一德电气科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201612 上海市松江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 无功功率 补偿 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种可控硅投切的无功功率补偿装置，包括智能控制器（2）、电容电抗单元（1）和投切开关单元（3），其特征在于，所述智能控制器（2）与所述投切开关单元（3）相连接，所述投切开关单元（3）与电容电抗单元（1）相连接；所述电容电抗单元（1）包括并联电容器和串联电抗器，并联电容器连接串联电抗器，所述并联电容器包括单相并联电容器和三相并联电容器，所述串联电抗器为三相干式铁芯电抗器，所述投切开关单元（3）包括可控硅和可控硅触发电路，所述可控硅与可控硅触发电路连接。
2.根据权利要求1所述的可控硅投切的无功功率补偿装置，其特征在于，所述并联电容器的额定容量为10-60KF。
3.根据权利要求1所述的可控硅投切的无功功率补偿装置，其特征在于，所述串联电抗器的电抗率为1-14%。
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