[实用新型]级联电池保护电路和系统

权利要求书

1.一种级联电池保护电路，所述电路包括级联的多个电芯保护单元，其特征在于，每个电芯保护单元的检测输出端通过第一电阻与相邻下级电芯保护单元的检测输入端相连接；每个所述电芯保护单元包括：第一电流镜电路、数字控制单元和第二电流镜电路；

通过所述第一电流镜电路的所述检测输入端检测电路的电压信号，根据所述电压信号得到下拉电流；根据所述下拉电流输出第一信号；

所述数字控制单元，用于根据所述第一信号得到第一状态信号，并将所述第一状态信号与本级电芯保护单元的放电保护输出信号进行状态判断，得到第一控制信号和第二控制信号；其中所述第一控制信号和第二控制信号互为反相信号；

所述第二电流镜电路，根据所述第一控制信号和第二控制信号的控制，通过所述第二电流镜电路的所述电压检测输出端向下级电芯保护单元输出电压信号。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电流镜电路包括：第一NMOS晶体管N7、第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2和第一恒流源I0；

所述第一NMOS晶体管N7的栅极接地连接，源极连接所述检测输入端，漏极与所述第一PMOS晶体管P1的漏极相连接，并与所述第一PMOS晶体管P1和第二PMOS晶体管P2共栅连接；第一PMOS晶体管P1和第二PMOS晶体管P2共栅共源连接，第一PMOS晶体管P1的漏极为所述第一电流镜电路的电流输入端，所述第二PMOS晶体管P2的漏极与所述第一恒流源串联连接，为所述第一电流镜电路的输出端；其中，所述第一PMOS晶体管P1和第二PMOS晶体管P2按第一比例匹配，以使所述流过第二PMOS晶体管P2的第一电流与所述下拉电流具有第一比例关系；

通过第一电流与所述第一恒流源I0的电流进行竞争，得到第一信号；当所述第一电流的电流值大于所述第一恒流源I0的电流值时，所述第一信号为高电平；当所述第一电流的电流值小于所述第一恒流源I0的电流值时，所述第一信号为低电平。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述数字控制单元包括：内部逻辑控制子单元、第一逻辑子单元和第二逻辑子单元；

所述内部逻辑控制子单元，用于产生位置标示信号和所述放电保护输出信号；

所述第一逻辑子单元，根据所述第一信号和所述位置标示信号，生成第一状态信号；

所述第二逻辑子单元，根据所述第一状态信号和所述放电保护输出信号生成所述第一控制信号和所述第二控制信号。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，

所述位置标示信号用于标识当前所述电芯保护单元在所述电路中的位置；如果所述电芯保护单元为第一级电芯保护单元，则位置标示信号为0，否则为1。

5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述放电保护输出信号用于指示当前电芯保护单元的工作状态；

当所述本级电芯保护单元处于正常的工作状态时，所述放电保护输出信号为0；否则，为1。

6.根据权利要求3-5任一所述的电路，其特征在于，所述第一逻辑子单元包括第一反向器和与门；

所述第一反向器对所述第一信号进行反向后输出给所述与门的一个输入端；所述与门的另一输入端接入所述位置标示信号，经过与逻辑操作后，输出所述第一状态信号。

7.根据权利要求3-5任一所述的电路，其特征在于，所述第二逻辑子单元包括或非门和第二反向器；

所述或非门的一端接入所述第一状态信号，另一端接入所述放电保护输出信号，经过或非门进行或非逻辑操作后，输出第二控制信号；所述第二反向器对所述第二控制信号进行反向逻辑操作，输出第一控制信号。