[实用新型]一种迟滞软启动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术，尤其涉及到迟滞软启动电路。

背景技术

在开关电源系统中，为了防止较大的过冲电流使系统损伤，设置了软启动电路，可以使输出电压缓慢上升。

发明内容

本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种防止过冲电流损坏电源系统的迟滞软启动电路。

迟滞软启动电路，包括分压电路、偏置电路、迟滞比较电路和电容充放电电路：

所述分压电路是对基准电压进行分压作为所述偏置电路和所述迟滞比较电路和所述电容充放电电路的参考电压；

所述偏置电路是提供给所述迟滞比较电路偏置电流；

所述迟滞比较电路是对所述电容充放电电路的电容上的电压和所述分压电路分压出来的参考电压进行比较；

所述电容充放电电路是对所述充放电电路的电容上进行充放电。

所述分压电路包括第一电阻、第二电阻和第三电阻：

所述第一电阻的一端接基准电压VREF，另一端接所述第二电阻的一端和所述迟滞比较电路和所述电容充放电电路；

所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述迟滞比较电路和所述电容充放电电路，另一端接所述偏置电路；

所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述偏置电路，另一端接地。

所述偏置电路包括第一运放、第一PMOS管、第一NMOS管、第四电阻和第二PMOS管：

所述第一运放的正端接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，负端接所述第一NMOS管的源极和所述第四电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；

所述第一PMOS管的栅极接漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源VCC；

所述第一NMOS管的栅极接所述第一运放的输出端，漏极接所述第一PMOS管的漏极和栅极和所述第二PMOS管的栅极，源极接第四电阻的一端和所述第一运放的负端；

所述第四电阻的一端接所述第一运放的负端和所述第一NMOS管的源极，另一端接地；

所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极接所述迟滞比较电路，源极接电源VCC。

所述迟滞比较电路包括第三PMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管：

所述第三PMOS管的栅极接漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源VCC；

所述第二NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极，源极接地；

所述第四PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述电容充放电电路，漏极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极，源极接所述第二PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的源极；

所述第三NMOS管的栅极接漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极，源极接地；

所述第四NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极，漏极接所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第五PMOS管的漏极，源极接地；

所述第五NMOS管的栅极接所述第六NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第五PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极，源极接地；

所述第六NMOS管的栅极接漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第五PMOS管的漏极，源极接地；

所述第七NMOS管的栅极接所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第五PMOS管的漏极，漏极接所述第六PMOS管的漏极和所述电容充放电电路，源极接地；