[实用新型]一种保持MOS管阈值电压恒定的电路有效
| 申请号： | 201420575986.0 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN204117013U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 贾雪绒 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 保持 mos 阈值 电压 恒定 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种保持MOS管阈值电压恒定的电路，其特征在于，包括：
基准参考电压生成电路(U1)：用于产生第一参考电压和第二参考电压：
第一比较器(U2)：用于将MOS管的栅端电压Vg和第一参考电压进行比较；
第二比较器(U3)：用于将MOS管的栅端电压Vg和第二参考电压进行比较；
逻辑控制电路(U4)：用于将第一比较器和第二比较器输出的结果进行处理输出电荷泵使能信号；
电荷泵电路(U5)：用于在电荷泵使能信号的驱动下生成MOS管的衬底电压；
电压反馈电路(U7)：用于根据电荷泵电路(U5)生成的衬底电压Vbulk调节栅端电压Vg；
以及时钟产生电路(U6)：用于向电荷泵电路提供时钟信号；
所述第一参考电压Vref1小于第二参考电压Vref2。
2.根据权利要求1所述的保持MOS管阈值电压恒定的电路，其特征在于：在室温下典型工艺角时，所述第一参考电压用于使得衬底电压Vbulk的输出为2.85v；所述第二参考电压用于当衬底电压Vbulk大于4.5V上限值后关闭电荷泵电路。
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