[实用新型]一种浪涌抑制整流源装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及计算机技术领域，具体为一种浪涌抑制整流源装置。

背景技术

随着计算机功能效率的不断强大，计算机电源的功能和转换效率也在不断提高。对于计算机电源来说最开始的处理就是对交流电进行整流，而现今整流的方式都是通过无源器件的整流二极管来完成。对于二极管搭成的整流器在二极管导通状态在电能损耗较大，是否可以通过其它方式避免二极管整流所带来的能量损耗。如果使用有源器件导通电阻小的MOS场效应晶体管来设计代替整流二极管的整流电路，则能更好的减少能量损耗，提高整流电路的效率，但是，在交流输入电源接通瞬间，滤波电路中滤波电容迅速充电，所以该峰值电流远远大于稳态输入电流，即产生浪涌电流，浪涌电流不仅缩短了滤波电容的寿命，同时也对整流电路乃至整个整流源装置都有较大冲击，容易对计算机电源造成损伤。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种浪涌抑制整流源装置，为计算机提供一种新型的由MOS管整流的浪涌抑制整流源装置，以解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种浪涌抑制整流源装置，包括和交流源连接的MOS管型浪涌抑制器和与MOS管型浪涌抑制器连接的MOS管型复合整流源；所述的MOS管型浪涌抑制器包括分别连接在交流输入电源的火线L与零线N之间的第一分压支路和第二分压支路，该第一分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R1和电阻R2，该第二分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R3和电阻R4；电阻R1和电阻R2的公共端与电阻R3和电阻R4的公共端相连；第二分压支路还包括与电阻R1、电阻R3并联的电容支路，该电容支路包括串接的电容C1和电容C2，第二分压支路连接一MOS管T1；MOS管T1的栅极连接电阻R1和电阻R2的公共端，源极连接交流输入电源的火线；在MOS管T1的源极与漏极之间设有电阻R5，电阻R5还与所述的电容支路连接；所述的MOS管型复合整流源包括由四个MOS管T3、T2、T4、T5两两栅极电联形成第一组合第二组合，第一组合包括上MOS管T2和下MOS管T4，第二组合包括上MOS管T3、下MOS管T5；第一组的源极与第二组源极对应相连；所述第一组的上MOS管T2和第二组的下MOS管T5的漏极连接有高频变压器第一次级L1和高频变压器第二次级L5的同名端；所述高频变压器第一次级L1和高频变压器第二次级L5的异名端分别电连接第一组的上MOS管T2和第二组的下MOS管T5的源极；所述第一组的下MOS管T4和第二组的上MOS管T3的漏极电连接有高频变压器第三次级L4和高频变压器第四次级L2的非同名端；所述高频变压器第三次级L4和高频变压器第四次级L2的同名端分别电连接第一组的下MOS管T4和第二组的上MOS管T3的源极；所述第一组合的栅极电连接MOS管T1的漏极，第二组合的栅极电连接交流输入端口的N端；所述第一组合和第二组合的源极两端并接有电容C3；所述电容C3两端并接有直流输出端口。

进一步的，所述的MOS管T1为P沟道型MOS管。

进一步的，所述的MOS管T2、T3、T4、T5为N沟道型MOS管。

进一步的，所述高频变压器第一次级、高频变压器第二次级、高频变压器第三次级、高频变压器第四次级的匝数相同。

综上所述，本实用新型中的MOS管型复合整流源功耗低，能够快速高效的对交流电进行高频有源整流，效果非常好，而且本实用新型通过MOS管型浪涌抑制器对MOS管型复合整流源提供电路保护，提高了整个整流源装置的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。