[实用新型]一种埋地管道直流阴极干扰减缓装置

权利要求书

1.一种埋地管道直流阴极干扰减缓装置，其特征在于，所述装置连接在埋地管道与接地材料之间，所述装置包括：

基准源，用于提供基准电位；

比较器模块，与所述基准源以及所述埋地管道连接，用于获取所述基准电位以及所述埋地管道的当前电位，并在所述埋地管道的当前电位低于所述基准电位时，输出第一信号，在所述埋地管道的当前电位高于所述基准电位时，输出第二信号；

控制器，与所述比较器模块连接，用于在接收到所述第一信号时，生成导通信号，以及在接收到所述第二信号时，生成断开信号；

CMOS场效应管，与所述控制器、所述埋地管道以及所述接地材料连接，用于在接收到所述导通信号时，控制所述埋地管道与所述接地材料处于连接状态，以及在接收到所述断开信号时，控制所述埋地管道与所述接地材料处于断开状态。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述比较器模块包括：

同相输入端，与所述基准源连接；

反向输入端，与所述埋地管道连接；

第一输出端，与所述控制器连接；

此时，所述比较器模块用于在所述埋地管道的当前电位低于所述基准电位时，通过所述第一输出端输出低电平，所述低电平即为所述第一信号，以及在所述埋地管道的当前电位高于所述基准电位时，通过所述第一输出端输出高电平，所述高电平即为所述第二信号。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述比较器模块包括：

同相输入端，与所述埋地管道连接；

反向输入端，与所述基准源连接；

第一输出端，与所述控制器连接；

此时，所述比较器模块用于在所述埋地管道的当前电位低于所述基准电位时，通过所述第一输出端输出高电平，所述高电平即为所述第一信号，以及在所述埋地管道的当前电位高于所述基准电位时，通过所述第一输出端输出低电平，所述低电平即为所述第二信号。

4.如权利要求1～3任一所述的装置，其特征在于，所述CMOS场效应管，包括：

漏极输入端，与所述接地材料连接；

源极输出端，与所述埋地管道连接；

栅极控制端，与所述控制器连接；

此时，所述CMOS场效应管用于在从所述控制器接收到所述导通信号时，控制所述漏极输入端与所述源极输出端导通，以使所述埋地管道与所述接地材料处于连接状态，以及在从所述控制器收到所述断开信号，控制所述漏极输入端与所述源极输出端断开，以使所述埋地管道与所述接地材料处于断开状态。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

电流传感器，串联在所述接地材料和所述漏极输入端之间，且与所述控制器连接；

此时，所述控制器还用于：

在所述漏极输入端与所述源极输出端导通时，获取流经所述电流传感器的电流，并判断所述电流是否大于一预设电流值，在所述电流大于所述预设电流值时，向所述CMOS场效应管的栅极控制端发送所述断开信号，以控制所述漏极输入端和所述源极输出端断开。