[实用新型]氯化氢合成炉有效

专利信息
申请号: 201420477315.0 申请日: 2014-08-24
公开(公告)号: CN204211479U 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 胡健 申请(专利权)人: 胡健
主分类号: C01B7/01 分类号: C01B7/01
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 255400 山东省淄*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 氯化氢 合成
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及化工设备领域,特别涉及一种氯化氢合成炉。

背景技术

氯化氢是一种重要的化工原料,在三氯氢硅合成反应中是必不可少原料。传统的氯化氢合成炉是使氯气和氢气在炉体底部的灯头处燃烧,反应生成氯化氢气体。由于在合成反应中不可避免地会产生水,而氯化氢气体溶入水后便成为了盐酸。

在实现本实用新型的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:

当炉体底部的酸液聚集多了的时候,酸液将会把点火的灯头及固定点火灯头的法兰接管腐蚀掉,从而引起设备的早期损坏。

发明内容

为了解决现有技术的问题,本实用新型实施例提供了一种氯化氢合成炉。所述技术方案如下:

本实用新型实施例提供了一种氯化氢合成炉,所述氯化氢合成炉包括石墨炉体、设置在所述石墨炉体底部的石墨层、设置在所述石墨层底部的点火灯头、固定所述点火灯头的法兰接管;

所述氯化氢合成炉还包括设置在所述石墨层上的限位圈、设置在所述石墨层和所述法兰接管之间的点火灯头保护圈;所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面;

所述限位圈设置在所述石墨层的上端部;

所述限位圈向内部倾斜,呈开口向上的喇叭状;

所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面40mm。

具体地,所述石墨炉体底部设置有下集水箱、与下集水箱相邻设置的进水短节;

所述石墨炉体内设置有下弧板、内盘管、挡板;

所述石墨炉体顶部设置有上弧板、上集水箱、与上集水箱相邻设置的出水短节;

所述下弧板、所述内盘管、所述上弧板组合在一起就形成三级缓冲弧。

具体地,所述内盘管具有R=2000mm 的部分弧形,所述下弧板、所述上弧板具有R=200mm 的弧形。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是:

通过在石墨层的上端部设置一个限位圈,挡住石墨层的端部,能够有效地防止石墨层因受热而开裂;通过在石墨层与法兰接管之间设置点火灯头保护圈,克服了现有氯化氢合成炉底部点火灯头及固定点火灯头法兰接管被腐蚀的缺点,提高了设备的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的氯化氢合成炉的结构示意图;

图2是本实用新型实施例提供的氯化氢合成炉的另一结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

本实用新型实施例提供了一种氯化氢合成炉,所述氯化氢合成炉包括石墨炉体1、设置在石墨炉体1底部的石墨层2、设置在石墨层2上的限位圈3、设置在石墨层2底部的点火灯头、固定点火灯头的法兰接管4、设置在石墨层2和法兰接管4之间的点火灯头保护圈5。

具体地,参见图1,石墨炉体1底部设置有下集水箱11、与下集水箱11相邻设置的进水短节12,石墨炉体1内设置有下弧板13、内盘管14、挡板15,石墨炉体1顶部设置有上弧板16、上集水箱17、与上集水箱17相邻设置的出水短节18。

进一步地,内盘管14在制作过程中加工成R=2000mm 的部分弧形,下弧板13、上弧板16 在加工过程中加工成R=200mm 的弧形,这三个部件组合在一起就形成了一个三级缓冲弧,因此在设备温度巨烈变化下仍能防止设备受到损坏。

具体地,参见图2,限位圈3设置在石墨层2的上端部,限位圈3向内部倾斜,呈开口向上的喇叭状。斜向下的限位圈3挡住石墨层的端部,放置石墨层2因受热开裂,可有效提高设备的使用寿命。

具体地,点火灯头保护圈5高于石墨层2所在平面,优选地,高于石墨层2所在平面40mm。高出底部石墨层平面的点火灯头保护圈5阻挡住酸液对点火灯头及固定点火灯头的法兰接管4的腐蚀。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是:

通过在石墨层的上端部设置一个限位圈,挡住石墨层的端部,能够有效地防止石墨层因受热而开裂;通过在石墨层与法兰接管之间设置点火灯头保护圈,克服了现有氯化氢合成炉底部点火灯头及固定点火灯头法兰接管被腐蚀的缺点,提高了设备的使用寿命。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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