[实用新型]非线性CMOS图像传感器像素有效
| 申请号： | 201420467067.1 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN204013848U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;旷章曲;陈多金;陈杰;刘志碧;唐冕 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非线性 cmos 图像传感器 像素 | ||
1.一种非线性CMOS图像传感器像素，包括光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管和选择晶体管，所述选择晶体管的漏极端与所述源跟随晶体管的源极端相连，其特征在于，还包括反相器、开关晶体管和电容，所述复位晶体管的源极端与所述光电二极管的电荷收集端连接，所述反相器包括两个并联的晶体管；
所述反相器的栅极端与所述光电二极管的电荷收集端相连，所述开关晶体管的栅极端与所述反相器的输出端相连，所述开关晶体管的源极端外接电势，所述开关晶体管的漏极端与所述电容的正极板端相连，所述源跟随晶体管的栅极端与所述开关晶体管的漏极端相连。
2.根据权利要求1所述的非线性CMOS图像传感器像素，其特征在于，所述光电二极管为N型光电二极管，所述开关晶体管为P型晶体管，所述复位晶体管为N型晶体管；
所述开关晶体管为低阈值晶体管，阈值范围为-0.3V～0V。
3.根据权利要求1所述的非线性CMOS图像传感器像素，其特征在于，所述光电二极管为P型光电二极管，所述开关晶体管为N型晶体管，所述复位晶体管为P型晶体管；
所述开关晶体管为低阈值晶体管，阈值范围为0V～0.3V。
4.根据权利要求1所述的非线性CMOS图像传感器像素，其特征在于，所述开关晶体管的外接电势端的电势与像素积分时间成对数关系。
5.根据权利要求4所述的非线性CMOS图像传感器像素，其特征在于，所述开关晶体管的外接电势端的电势最高为电源电压，最低为所述源跟随晶体管的阈值电压。
6.根据权利要求5所述的非线性CMOS图像传感器像素，其特征在于，所述源跟随晶体管的阈值电压小于或等于0.3V。
7.根据权利要求1所述的非线性CMOS图像传感器像素，其特征在于，所述电容为晶体管电容或金属电容。
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