[实用新型]一种温度变送器

权利要求书

1.一种温度变送器，其特征在于，包括：信号采集电路、变送芯片、电压电流转换电路； 

所述变送芯片采用XTR108； 

所述信号采集电路的三个输入端分别连接三线温度传感器的输出端，所述信号采集电路的六个输出端分别连接所述变送芯片的六个信号采集输入端； 

所述信号采集电路的第一输入端分别通过五个并联的支路连接所述变送芯片的第二至第五信号采集输入端；所述五个并联的支路的结构相同均包括一个电阻和一个电容并联；所述五个并联的支路中的电阻的阻值不同，用于设置温度变送范围； 

所述信号采集电路的第二输入端连接所述变送芯片的第一信号采集输入端； 

所述信号采集电路的第三输入端通过第六支路接地，所述第六支路包括并联的第六电阻和第六电容； 

所述变送芯片，用于通过切换所述信号采集电路中的五个并联的支路，对温度变送范围进行选择； 

所述电压电流转换电路，用于将所述变送芯片输出的电压信号转换为4～20mA的电流信号进行输出。 

2.根据权利要求1所述的温度变送器，其特征在于，所述电压电流转换电路包括：第一NMOS管； 

所述第一NMOS管的栅极连接所述变送芯片的VG输出端，所述第一NMOS管的漏极连接VCC，所述第一NMOS管的源极作为该温度变送器的第一输出端； 

所述变送芯片的电流输出端IO为该温度变送器的第二输出端。 

3.根据权利要求1所述的温度变送器，其特征在于，还包括存储器，用于对所述变送芯片进行参数设置，所述存储器连接所述变送芯片的串行数据SDIO和串行时钟SCLK的输入端/输出端。 

4.根据权利要求2所述的温度变送器，其特征在于，还包括：稳压二极管和第三二极管； 

所述稳压二极管的阳极连接所述变送芯片的所述电流输出端IO； 

所述稳压二极管的阴极连接所述第一NMOS管的源极； 

所述第三二极管的阳极作为所述第一输出端； 

所述第三二极管的阴极连接所述第一NMOS管的源极。 

5.根据权利要求4所述的温度变送器，其特征在于，还包括：第一铁氧体磁珠、第二铁氧体磁珠、第十五电容、第十七电容、第十九电容； 

所述第一铁氧体磁珠的一端连接所述第三二极管的阳极，所述第一铁氧体磁珠的另一端作为该温度变送器的第一输出端； 

所述第二铁氧体磁珠的一端连接所述变送芯片的所述电流输出端IO，所述第二铁氧体磁珠的另一端作为该温度变送器的第二输出端； 

所述第一NMOS管的栅极通过所述第十五电容接地； 

所述第一NMOS管的漏极通过所述第十七电容接地； 

所述第三二极管的阳极和所述稳压二极管的阳极之间连接所述第十九电容。 

6.根据权利要求1所述的温度变送器，其特征在于，还包括：第二十三电容、第十三电容、第五铁氧体磁珠、第六铁氧体磁珠和第七铁氧体磁珠； 

所述信号采集电路的第二输入端通过所述第五铁氧体磁珠连接所述变送芯片的第一信号采集输入端； 

所述变送芯片的第一信号采集输入端通过所述第二十三电容接地； 

所述第六铁氧体磁珠连接在所述信号采集电路的第一输入端和所述五个并联的支路之间； 

所述第七铁氧体磁珠连接在所述信号采集电路的第三输入端和所述第六支路之间。 

7.根据权利要求1所述的温度变送器，其特征在于，还包括：第十三电阻、第十五电阻、第十七电阻、第二十七电阻； 

所述变送芯片的VO管脚和IN管脚之间连接所述第十三电阻； 

所述变送芯片的RLIN管脚通过所述第十五电阻接地； 

所述变送芯片的RSET管脚通过所述第十七电阻接地； 

所述变送芯片的第一片选管脚CS1通过所述第二十七电阻接电源VCC。 

8.根据权利要求1所述的温度变送器，其特征在于，所述五个并联的支 路中的电容的阻值均相同。