[实用新型]一种强化右脑记忆的外语学习机

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种强化外语学习装置。特别是一种强化右脑记忆的外语学习机。

背景技术

很多人在学习外语时，面对大量的外语单词、词汇和句子，往往是学了忘，忘了再学，记忆不深，感觉学习外语是一件困难的事情。

其实人在学习外语时的记忆没有天生的好坏，只有左脑和右脑的区别。左脑记忆容量小，记忆速度慢，容易忘记，会随着年龄的增大而衰退。右脑记忆容量大，记忆速度快，可以随时再现。右脑记忆具有后天可开发性，有目的的使用右脑强化记忆，可以大大提高学习外语的效果和效率。

科学家经过大量的研究发现，人的右耳听到的声音进入左脑，左耳听到的声音进入右脑。左脑记忆是程序记忆，记忆信息要经过一道道程序，比如要先理解再记忆，如果某个程序出现问题整个过程就停滞不前。所以左脑记忆慢，容量小。右脑记忆是信息图像空间的记忆，图像信息瞬间保留，像照相机拍摄图像一样能将所有的信息包括不理解信息都保存在大脑里，右脑记忆快、容量大。科学研究还发现人的大脑有3层记忆结构，最外层是新皮质层，其次是旧皮质层，中心为脑干。人脑中与记忆有关的部分是颞叶、海马体和间脑。颞叶属于大脑新皮质层，是左脑的浅层记忆，容易遗忘。海马体属于旧皮质层，位于记忆阶层的深层，记得比较牢固。间脑属于脑干，是更深层的记忆。

人在记忆时，大脑会首先把接收到的信息记忆并保存在颞叶。当需要时，会重现这些记忆的内容，形成语言、行动，或与其他的记忆内容相结合形成推理、思考判断和创造。

当大脑对某类信息非常感兴趣，或者由于不断重复某信息，使大脑认为这个信息非常重要时，这些信息不仅会被保存在颞叶中，还会经由神经系统被传送到海马体，形成深层的记忆，乃至被传送到间脑，形成更深层的记忆。

因此要学习好外语，必须发挥右脑的记忆优势，设计一种专门利用右脑的优势，强化外语单词、词汇和句子的记忆，提高外语学习效果的学习外语装置。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题，设计一种专门反复多次把外语信息输入右脑，充分利用右脑记忆优势达到提高外语学习效率。

本实用新型采用的设计方案是：一种强化右脑记忆的外语学习机，包括直流电源和耳机，其特征是还包括： 

—解码播音模块电路，该电路的输入端连接TF卡接口和U盘USB接口以及播放暂停控制开关，输出端分别连接右耳机和左耳机；

—录音、可擦写存储、播音模块电路，该电路的输入端连接话筒以及录音和播放控制开关，输出端通过音频功率放大电路连接左耳机。

所述解码播音模块电路的输入端还分别连接音量增大和减小控制开关，上一曲和下一曲控制开关。

所述录音、可擦写存储、播音模块电路还分别连接循环播放开关和直接播放开关。

上述设计的有益效果在于，采用解码播音模块电路与录音可擦写存储播音模块电路的组合结构，实现了专门从左耳或反复不断从左耳输入外语语音信息到右脑，利用右脑的记忆优势对外语语音信息进行强化记忆的训练，达到提高外语学习的效率。

附图说明

图1为本实用新型的框图。

图2为实施电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型实施例作详细说明。

参看图1和图2所示，图1的解码播音模块电路4由图2的IC1 由M2801002集成块（选用MP3解码播放模块）、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6和发光二极管D1组成。

图1的录音、可擦写存储、播音模块电路5由图2的集成电路IC2选用 ISD1820集成块、电阻R7、R8、R9、R10、R11、电容C1、C2、C3、C4、C5和发光二极管D2组成。

图1的音频功率放大电路6由图2的集成电路IC3 选用LM386、电阻R12、电容C6、C7、C8和变阻器W1组成。

图1的电源框18接通MP3解码播音模块电路4和录音、可擦写存储、播音模块电路框5，以及音频功率放大电路6，即图2的+Vcc端接通电源正极时，MP3解码播音模块电路4和录音、可擦写存储、播音模块电路5，以及音频功率放大电路6就处于工作状态。图2的IC1解码播音模块、集成电路IC2和集成电路IC3处于通电工作状态。

图1的TF卡接口插座框1即图2的TF卡接口插座，图1的U盘USB接口插座2即图2的U盘USB接口插座。图1的话筒3即图2的话筒MIC。图1的右耳机7即图2的右耳机BE R，图1的左耳机8即图2的左耳机BE L。