[实用新型]一种用于恒流LED驱动的线电压补偿电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED开关电源驱动领域，尤其涉及一种用于恒流LED驱动的线电压补偿电路。

背景技术

传统的开关电源系统中，尤其是恒流控制的开关电源系统，由于功率管关断延时的存在，会导致开关管关闭时刻的电流峰值在高低压下不一致，从而导致输出电流的变化，传统的方法是在母线与采样电阻中间并入一个电阻如图1所示粗略的提供一个补偿电流，这种方式的问题是：1补偿电流偏差较大，2，增加应用电路设计步骤与外围器件数量，3，如果需要把功率管集成在芯片内部则无法使用该方法。

实用新型内容

为了解决现有技术中的问题，本实用新型提供了一种用于恒流LED驱动的线电压补偿电路。

本实用新型提供了一种用于恒流LED驱动的线电压补偿电路，包括电压基准源、NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、开关、第一电阻、第二电阻、控制电路、功率管，所述电压基准源与所述NMOS晶体管相连，所述NMOS晶体管漏极接第一PMOS 晶体管漏极，第一PMOS晶体管栅极与漏极短接，第一PMOS晶体管源极接芯片内部电压，第二PMOS晶体管栅极接所述第一PMOS晶体管栅极，所述第二PMOS晶体管漏极接所述NMOS 晶体管源极，所述第二PMOS晶体管源极接所述第一PMOS晶体管源极，所述第三PMOS 晶体管栅极接所述第一PMOS晶体管栅极，所述第三PMOS晶体管漏极接所述开关的第一端，所述第三PMOS晶体管源极接所述第一PMOS晶体管源极，所述开关的第二端接所述第一电阻的一端，所述开关的控制端接控制电路的输出端，所述第一电阻的另一端接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接所述功率管的源极。

作为本实用新型的进一步改进，该线电压补偿电路还包括放大器，所述电压基准源的输出接所述放大器的同相输入端，所述放大器反相输入端接NMOS晶体管的源端，所述放大器的输出接NMOS晶体管的栅极。

作为本实用新型的进一步改进，所述放大器为误差放大器。

作为本实用新型的进一步改进，该线电压补偿电路还包括第三电阻，所述第三电阻与所述功率管的源极相连。

作为本实用新型的进一步改进，该线电压补偿电路还包括变压器，功率管导通时，变压器主线圈两端的电压等于母线电压。

作为本实用新型的进一步改进，该线电压补偿电路还包括辅助线圈、稳压模块、第四电阻，所述第四电阻一端与所述稳压模块相连，所述第四电阻另一端与所述辅助线圈一端相连，所述辅助线圈另一端与所述稳压模块相连。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的用于恒流LED驱动的线电压补偿电路适合于集成于芯片内部，能够提供更高的补偿精度，能够减少外围器件的数量，简化应用电路设计。

附图说明

图1是现有的电压补偿电路图。

图2是本实用新型的线电压补偿电路的一实施例电路图。

图3是本实用新型的线电压补偿电路的另一实施例电路图。

具体实施方式

本实用新型公开了一种用于恒流LED驱动的线电压补偿电路，如图2所示，作为本实用新型的一个实施例，该线电压补偿电路包括电压基准源401、NMOS晶体管403、第一PMOS晶体管404、第二PMOS晶体管405、第三PMOS晶体管406、开关409、第一电阻408、第二电阻407、控制电路410、功率管411，所述电压基准源401与所述NMOS晶体管403相连，所述NMOS晶体管403漏极接第一PMOS 晶体管404漏极，第一PMOS晶体管404栅极与漏极短接，第一PMOS晶体管404源极接芯片内部电压VDD，第二PMOS晶体管405栅极接所述第一PMOS晶体管404栅极，所述第二PMOS晶体管405漏极接所述NMOS 晶体管403源极，所述第二PMOS晶体管405源极接所述第一PMOS晶体管404源极，所述第三PMOS 晶体管406栅极接所述第一PMOS晶体管404栅极，所述第三PMOS晶体管406漏极接所述开关409的第一端，所述第三PMOS晶体管406源极接所述第一PMOS晶体管404源极，所述开关409的第二端接所述第一电阻408的一端，所述开关409的控制端接控制电路410的输出端，所述第一电阻408的另一端接所述第二电阻407的一端，所述第二电阻407的另一端接所述功率管411的源极。

该线电压补偿电路还包括第三电阻412，所述第三电阻412与所述功率管411的源极相连。