[实用新型]开关电源的输出延迟电路拓扑结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种开关电源的控制电路，尤其是指一种开关电源的输出延迟电路拓扑结构。

背景技术

在实际应用中，用户往往要求提供一款输入电压（18V_DC～36V_DC）、输出电压（±12V_DC/300 mA ,-5V_DC/200mA）、具有输出延迟时间（≥50mS），动态反应时间（≤50mS），效率高于75%，输出纹波有效值≤0,2%的输入输出隔离电源模块。

采用两路独立的单端反激式拓扑结构能够实现该电源模块的功率部分。单端反激式电路具有电路结构简单，所需器件少，效率高，节省体积的优点，广泛应用于中小功率电路，本电路总输出功率仅10W,采用单端反激式拓扑完全能满足使用要求。该种结构所采用的脉宽调制器具有电流检测功能，可以实现输出短路保护。但是，其输出延迟电路需要另外单独设计。

实用新型内容

本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种阈值准确、电路简单的开关电源的输出延迟电路拓扑结构，以有效地控制输出延迟时间。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：一种开关电源的输出延迟电路拓扑结构，包括NMOS电路、三极管线性稳压电路以及开关电源控制芯片；

其中，所述N型MOS电路包括NMOS管Q1、分压电路及栅极充放电电容C2，所述NMOS管Q1的源极连接电源输入端，栅极通过栅极充放电电容C2接地，所述分压电路由第二电阻R2和第三电阻R3串联形成，所述第二电阻R2的一端连接于电源输入端，另一端与第三电阻R3的一端和NMOS管Q1的栅极相连，所述第三电阻R3的另一端接地；

所述三极管线性稳压电路包括：NPN三极管Q2、基极限流电阻R1以及稳压管Z1，所述NPN三极管Q2集电极连接NMOS管Q1的源极，基极通过稳压管Z1接地，并通过基极限流电阻R1连接到集电极，发射极连接开关电源控制芯片的Vcc端。

进一步地，所述拓扑结构还包括一稳压电容C1，所述稳压电容C1一端连接于NMOS管Q1的漏极，另一端接地。

进一步地，所述稳压管Z1为10V稳压管。

进一步地，所述电压输入端为直流电压输入端。

进一步地，所述开关电源控制芯片为如下器件中的一种：电流型脉宽调制器、电压型脉宽调制器、BUCK变换器、BOOST变换器。

本实用新型的有益效果是：本发明利用NMOS管的电压开关特性，在电源供电前端加NMOS电路，可以很好地控制整个电路的供电，而且，通过调整NMOS管Q1的栅极的分压电阻第二电阻R2、第三电阻R3和栅极充放电电容C2的参数值，就能实现不同的输出延迟时间的需求，结构简捷，且能满足使用需求。特别适用于有输出延迟要求的电源电路，同时可以抑制供电电压在上升过程中带来的启动过冲，防止供电电源过载，可广泛应用于中小功率电路。

附图说明

图1是本实用新型实施例的开关电源的输出延迟电路拓扑结构的电路示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

请参考图1，本实用新型提供一种开关电源的输出延迟电路拓扑结构，包括NMOS电路、三极管线性稳压电路以及脉宽调制器U1。

其中，所述N型MOS电路包括NMOS管Q1、分压电路及栅极充放电电容C2，所述NMOS管Q1的漏极连接电源输入端，栅极通过栅极充放电电容C2接地。所述分压电路由第二电阻R2和第三电阻R3串联形成，所述第二电阻R2的一端连接于电源输入端，另一端与第三电阻R3的一端和NMOS管Q1的栅极相连，所述第三电阻R3的另一端接地，通过调整第二电阻R2和第三电阻R3的阻值，可以改变NMOS管Q1的栅极电压值；而所述栅极充放电电容C2还与所述第二电阻R2形成栅极充放电回路，可调节NMOS管Q1栅极电压达到启动门限电压的时间。

所述三极管线性稳压电路包括：NPN三极管Q2、基极限流电阻R1以及稳压管Z1，所述NPN三极管Q2的集电极连接NMOS管Q1的源极，基极通过稳压管Z1接地，并通过基极限流电阻R1连接到集电极，发射极连接开关电源控制芯片的Vcc端。

此外，所述拓扑结构还可进一步包括一稳压电容C1，所述稳压电容C1一端连接于NMOS管Q1的源极，另一端接地。稳压电容C1作为电源输入端稳压电容，可抑制电源输入端电源噪声，稳定输出。