[实用新型]三相桥式驱动式智能功率模块及空调器有效
申请号: | 201420344200.4 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN203933363U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 梁宏业;冯宇翔;于文涛 | 申请(专利权)人: | 广东美的集团芜湖制冷设备有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 241009 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三相 驱动 智能 功率 模块 空调器 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,特别涉及一种三相桥式驱动式智能功率模块及空调器。
背景技术
智能功率模块,即IPM(Intelligent Power Module)是电机驱动领域里的一种常用模块,智能功率模块中的桥式驱动芯片一般为半桥式驱动芯片,全桥式芯片或三相桥式驱动芯片,两个半桥式驱动芯片可以组合成一个全桥式驱动芯片,三个全桥式驱动芯片可以组合成一个三相桥式驱动芯片。其中,三相桥式驱动芯片经常被用于风机、变频空调、变频洗衣机、变频微波炉、汽车驱动等三相电机的变频产品上,实现产品的节能减排作用。因此,研究并生产可靠性高及成本低的功率智能模块具有非常重要的意义。
图1是现有技术中三相桥式驱动式智能功率模块一实施例的电路结构示意图。参照图1,该智能功率模块包括三相桥式驱动集成芯片10(也称栅极驱动芯片)、第一功率器件20、第二功率器件30、第三功率器件40、第四功率器件50、第五功率器件60、第六功率器件70及续流二极管101、续流二极管102、续流二极管103、续流二极管104、续流二极管105及续流二极管106。第一功率器件20、第二功率器件30和第三功率器件40为高压侧功率器件;第四功率器件50、第五功率器件60和第六功率器件70为低压侧功率器件;续流二极管101连接于第一功率器件20的电流输入端和电流输出端之间,续流二极管102连接于第一功率器件30的电流输入端和电流输出端之间,续流二极管103连接于第一功率器件40的电流输入端和电流输出端之间,续流二极管104连接于第一功率器件50的电流输入端和电流输出端之间,续流二极管105连接于第一功率器件60的电流输入端和电流输出端之间,续流二极管106连接于第一功率器件70的电流输入端和电流输出端之间(上述各续流二极管的阴极与其对应的功率器件的电流输入端连接,上述各续流二极管的阳极与其对应的功率器件的电流输出端连接)。三相桥式驱动集成芯片10包括高压侧驱动模块11、电平转换模块12和低压侧驱动模块13。其中,高压侧驱动模块11包括驱动信号输出端HO1、HO2及HO3,驱动信号输出端HO1输出的驱动信号用于驱动第一功率器件20的开关动作,驱动信号输出端HO2输出的驱动信号用于驱动第二功率器件30的开关动作,驱动信号输出端HO3输出的驱动信号用于驱动第三功率器件40的开关动作;电平转换模块12用于将低压侧驱动模块13的低压控制信号转换为高压控制信号传递给高压侧驱动模块11。低压侧驱动模块13包括驱动信号输出端LO1、LO2及LO3,驱动信号输出端LO1输出的驱动信号用于驱动第四功率器件50的开关动作,驱动信号输出端LO2输出的驱动信号用于驱动第五功率器件60的开关动作,驱动信号输出端LO3输出的驱动信号用于驱动第六功率器件70的开关动作;图1中第一功率模块20、第二功率模块30、第三功率模块40、第四功率模块50、第五功率模块60及第六功率模块70可以是IGBT管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管),也可以是MOSFET管(MOSFET,metal oxide semiconductor field effect transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管,简称MOS管),还可以是晶闸管。第一功率模块20的电流输入端与最高电压点输入端P连接,其电流输出端与U相高压区供电电源负端UVS连接;第二功率模块30的电流输入端与最高电压点输入端P连接,其电流输出端与V相高压区供电电源负端VVS连接;第三功率模块40的电流输入端与最高电压点输入端P连接,其电流输出端与W相高压区供电电源负端WVS连接;第四功率模块50的电流输入端与U相高压区供电电源负端UVS连接,其电流输出端经电阻R接地;第五功率模块60的电流输入端与V相高压区供电电源负端VVS连接,其电流输出端经电阻R接地;第六功率模块70的电流输入端与W相高压区供电电源负端WVS连接,其电流输出端经电阻R接地。当上述各功率模块为IGBT管时,IGBT管的门极为控制端,IGBT管的集电极为电流输入端,IGBT的发射极为电流输出端;当上述各功率模块为MOS管时,MOS管的栅极为控制端,MOS管的漏极为电流输入端,MOS管的源极为电流输出端;当上述各功率模块为晶闸管时,晶闸管的门极为控制端,晶闸管的阳极为电流输入端,晶闸管的阴极为电流输出端。
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