[实用新型]一种快速投切电容器的智能复合开关有效
| 申请号: | 201420242759.6 | 申请日: | 2014-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN203839964U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
| 发明(设计)人: | 李威鹏;雷文鹤;周利鹏;刘佳;张凯;程勇;韩振东;张连福 | 申请(专利权)人: | 河南森海电气有限公司 |
| 主分类号: | H02J3/18 | 分类号: | H02J3/18 |
| 代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人: | 张春;李想 |
| 地址: | 461111 河南省许*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 快速 电容器 智能 复合 开关 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种复合开关,具体涉及一种快速投切电容器的智能复合开关。
背景技术
在电网改造的实施过程中,往往需要增加并联电容器无功补偿装置,对提高供电电压质量,挖掘供电设备的潜力,降低线损及节能均起到积极的作用。
早期无功补偿装置大都采用交流接触器、可控硅电子开关等投切方式,交流接触器在电容器投入和切除时会产生很大的涌流和过压,暂态的高压和投切冲击电流会导致电容器绝缘击穿、接触器触头烧损;而可控硅电子开关虽然解决了电容器投切过程中的涌流、过压、分断电弧等问题,但其散热难,需外加辅助散热器、结构复杂、成本高,占用空间大,两种方式补偿效果和使用寿命上都不够理想。
近年来,电力电子技术和可控硅技术的不断发展,在无功补偿装置中衍生出一种新型装置—复合开关。现有的复合开关结构是将可控硅与继电器并接。目前普遍认为的实现方法是:投入时,在电压过零瞬间过零触发与继电器或接触器并联的可控硅,稳定后再将继电器或接触器吸合导通;而切出时,先将可控硅导通,然后再将继电器或接触器触点断开,避免继电器或接触器断开时产生电弧,最后在电流过零点处可控硅断开,从而实现电流过零切断,但是切断速度过慢,从而难以实现装置的快速投切。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是现有的复合开关切断速度过慢,安全性不高,为解决上述问题,提供一种快速投切电容器的智能复合开关。
本实用新型的目的是以下述方式实现的:
一种快速投切电容器的智能复合开关,它包括与外部电源相连接的输入信号转换电路,输入信号转换电路的输出端连接主控芯片,主控芯片的输出端经过限流电阻后连接可控硅驱动电路,可控硅驱动电路的输出端连接开关导通检测电路,开关导通检测电路连接开关状态比较电路,开关状态比较电路的输出端设置继电器驱动芯片。
所述的主控芯片采用ATMEGA16,其为电容器无功补偿装置的主控芯片。
相对于现有技术,本实用新型由电容器无功补偿装置内部的单片机控制,简化了结构,在投入和切除的瞬间由可控硅承担过零投切,即电压过零时刻投入,电流过零时刻切除,可控硅导通时间很短(不产生发热),之后,转换为磁保持继电器接通运行。在正常接通期间具有接触器无功耗的优点,弥补了可控硅和交流接触器在低压无功补偿应用方面各自的不足。
附图说明
图1是输入信号转换原理图。
图2是主控芯片原理图。
图3是限流电阻原理图。
图4是可控硅驱动电路原理图。
图5是开关导通检测电路原理图。
图6是开关状态比较电路原理图。
图7是继电器驱动芯片原理图。
具体实施方式
一种快速投切电容器的智能复合开关,如图1所示,它包括与外部电源相连接的输入信号转换电路,如图2所示,输入信号转换电路的输出端连接主控芯片,如图3、图4所示,主控芯片的输出端经过限流电阻后连接可控硅驱动电路,如图5所示,可控硅驱动电路的输出端连接开关导通检测电路,如图6所示,开关导通检测电路连接开关状态比较电路,如图7所示,开关状态比较电路的输出端设置继电器驱动芯片。主控芯片采用ATMEGA16,其为电容器无功补偿装置的主控芯片。
当KPA/KPB/KPC接收到外部+12V时,通过电阻分压后驱动光耦,使光耦另一端输出的QDA/QDB/QDC从低电平转换为高电平。
核心部件(MOC3061):
MOC3061 系列采用双列直插6 引脚封装形式,如图1 所示。器件由输入、输出两部分组成。1、2 脚为输入端,输入级是一个砷化镓红外发光二极管(L ED ) , 该二极管在5~15mA 正向电流作用下,发出足够的红外光,触发输出部分。3、5 脚为空脚, 4、6 脚为输出端, 输出级为具有过零检测的光控双向可控硅。当红外发光二极管发射红外光时,光控双向可控硅触发导通。
本实用新型采用的电容器无功补偿装置内部的处理芯片ATMEGA16,由数据采集处理单元控制可控硅电路及继电器电路,实现电路的闭合和开路,避免了一些不必要的程序,实现了装置的快速投切功能。
通过芯片的控制,装置的动作时间为50ms,大大高于普通接触器的动作时间。
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