[实用新型]浪涌电压抑制电路

权利要求书

1.一种浪涌电压抑制电路，其特征在于，包括电源保护芯片U1、滤波稳压单元、MOS管Q1、三极管Q2、欠压过压保护单元及电阻分压单元，所述滤波稳压单元的输入端接入电源电压，所述滤波稳压单元的输出端连接于所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极通过欠压过压保护单元连接于电源保护芯片U1，所述三极管Q2的集电极通过限流电阻R连接于MOS管Q1的栅极，所述电源保护芯片U1的门引脚通过第一电阻R1连接于所述MOS管Q1的漏极，所述MOS管Q1的源极通过第二电阻R2连接于所述电源保护芯片U1的输出引脚，所述电阻分压单元连接于所述电源保护芯片U1的输出引脚及分压设置引脚, 所述电源保护芯片U1的时钟定时引脚通过第四电容C4接地。

2.根据权利要求1所述的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述滤波稳压单元具体包括第一电容C1、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一稳压管ZD1、第二稳压管ZD2及二极管D，所述第一电容C1的两端连接于电源电压与地之间，所述第三电阻R3的一端连接于电源电压，另一端连接于第一稳压管ZD1的负极，所述第一稳压管ZD1的正极接地；所述第四电阻R4的一端连接于所述第一稳压管ZD1的负极，另一端连接于第二稳压管ZD2的负极及二极管D的正极，所述第二稳压管ZD2的正极接地，所述二极管D的负极连接于所述三极管Q2的基极，所述二极管D的负极还连接于所述第一稳压管ZD1的负极，所述第五电阻R5一端连接于电源电压，另一端连接于所述第二稳压管ZD2的负极。

3.根据权利要求2所述的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述欠压过压保护单元包括第二电容C2、第六电阻R6及第七电阻R7，所述电源保护芯片U1的电源引脚与关断引脚并联后连接于所述三极管Q2的发射极，所述第二电容C2的一端连接于三极管Q2的发射极，另一端接地；所述第六电阻R6一端连接于所述三极管Q2的发射极，另一端连接于电源保护芯片U1的欠压引脚，所述第七电阻R7的一端连接于电源保护芯片U1的欠压引脚，另一端连接于电源保护芯片U1的过压引脚，所述电源保护芯片U1的过压引脚接地。

4.根据权利要求3所述的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述电阻分压单元包括第八电阻R8及第九电阻R9，所述第八电阻R8的一端连接于所述电源保护芯片U1的输出引脚，另一端连接于所述电源保护芯片U1的分压设置引脚；所述第九电阻R9的一端连接于所述电源保护芯片U1的分压设置引脚，另一端接地。

5.根据权利要求4所述的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述第二电阻R2的一端连接于MOS管Q1的源极及电源保护芯片U1的电流检测输入引脚，所述第二电阻R2的另一端连接于所述电源保护芯片U1的输出引脚。

6.根据权利要求5所述的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述电源保护芯片U1的输出引脚还通过第三电容C3接地。

7.根据权利要求1所述的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述三极管Q2为NPN型三极管。

8.根据权利要求1所述的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述MOS管Q1为N沟道MOS管。

9.根据权利要求1所述的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述电源保护芯片U1的型号为LT4363DE-2。