[实用新型]一种C波段压控振荡器有效
| 申请号: | 201420191528.7 | 申请日: | 2014-04-18 |
| 公开(公告)号: | CN203827295U | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
| 发明(设计)人: | 李家强;李垚;葛俊祥;潘安;李彪 | 申请(专利权)人: | 南京信息工程大学 |
| 主分类号: | H03B5/32 | 分类号: | H03B5/32 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 杨楠 |
| 地址: | 215101 江苏省苏州市吴中区木*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 波段 压控振荡器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种压控振荡器(voltage-controlled oscillator,简称VCO),特别是涉及一种C波段压控振荡器,属于微波通信技术领域。
背景技术
随着通信领域的迅速发展,对电子设备的要求越来越高,而压控振荡器是射频通信系统中非常重要的组成元件之一。压控振荡器是指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路,即输出频率是输入信号电压的函数。它主要应用于锁相环路和频率合成器中,用来实现精确的参考频率,对通信系统的性能至关重要。
目前国内外研究和生产集成压控振荡器VCO的单位众多,国外生产商主要有Crystek Corporation、RF Micro Devices Inc等,其生产的VCO性能优越,但价格也较高,如Crystek Corporation的CVCO55BH-4100-4300,频率范围4100~4300MHz,相位噪声-113dBc/Hz@100kHz,批发价至少30美元。从国内具有代表性的科研单位,如中国科学院微电子研究所、复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室、东南大学射频与光电集成电路研究所等发表的文献可以看出,国内在C波段VCO的设计与实现中多采用0.18μm的CMOS工艺,在1MHz频偏处的相位噪声往往能达到-110dBc/Hz,性能较高的能达到-120dBc/Hz以下,但同样存在设计复杂与成本较高的问题,性价比不高。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种电路结构简单,成本较低,对加工精度要求不高,具有较高的性价比的C波段压控振荡器。
本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案:
一种C波段压控振荡器,包括用于改变谐振频率的负载电路、用于使整个电路振荡的晶体管电路、用于满足振荡条件的终端电路以及第一、第二匹配电路,所述负载电路经所述第一匹配电路连接所述晶体管电路,所述晶体管电路经所述第二匹配电路连接所述终端电路;所述晶体管电路包括晶体管、第一~第八电容、第一~第二电阻、第一~第三微带线、第一~第二微带短截线、第一~第二直流电源,所述第一电容的一端、晶体管的漏极和第一微带线的一端共点连接,第一微带线的另一端、第一微带短截线和第一电阻的一端共点连接,第一电阻的另一端连接第一直流电源的正极,第六、第七、第八电容分别并联在第一直流电源的正负极两端;晶体管的栅极经第二微带线接地;第二电容、晶体管的源极和第三微带线的一端共点连接,第三微带线的另一端、第二微带短截线和第二电阻的一端共点连接,第二电阻的另一端连接第二直流电源的正极,第三、第四、第五电容分别并联在第二直流电源的正负极两端;第一、第二直流电源的负极均接地;所述负载电路包括第一~第二变容二极管、第九~第十二电容、第四~第六微带线、第三微带短截线、第三直流电源,所述第九电容的一端、第一变容二极管的阴极、 第二变容二极管的阴极和第四微带线的一端共点连接,第四微带线的另一端、第三微带短截线和第三直流电源的正极共点连接,第十、第十一、第十二电容分别并联在第三直流电源的正负极两端,第一变容二极管的阳极经第五微带线接地,第二变容二极管的阳极经第六微带线接地,第三直流电源的负极接地。
进一步的,所述终端电路包括一大小为50Ω的电阻。
进一步的,所述第一匹配电路包括第七微带线、与第九电容另一端连接的接地振荡器端口、使第七微带线、第一电容的另一端和接地振荡器端口共点连接的三端口连接器。
进一步的,所述第二匹配电路包括与所述第二电容连接的第八微带线。
优选的,所述晶体管为BFP640-NPN型硅锗型RF晶体管。
优选的,所述变容二极管为SMV2019-079硅超突变节变容二极管。
本实用新型采用以上技术方案与现有技术相比,具有以下有益效果:可以实现中心频率为C波段内任意一频点的压控振荡器,电路设计结构简单,成本较低,对加工精度要求不高,具有较高的性价比;另外还具有相噪低、调谐范围宽、线性度好、输出功率高、带内功率平坦等特点。
附图说明
图1是本实用新型的一种C波段压控振荡器的原理框图。
图2是本实用新型的一种C波段压控振荡器的整体电路图。
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