[实用新型]一种中子发生器有效

专利信息
申请号: 201420166941.8 申请日: 2014-04-09
公开(公告)号: CN203761670U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 杨振;龙继东;彭宇飞;蓝朝晖;李杰;董攀;刘平;王韬 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: H05H3/06 分类号: H05H3/06
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 梁田
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 中子 发生器
【权利要求书】:

1.一种中子发生器,其特征在于,所述中子发生器包括:

密封型绝缘筒,所述密封型绝缘筒具有两端,分别为第一端和第二端,在所述密封型绝缘筒内的所述第一端处设有一离子发生源,在所述第二端连接有一电源,在所述密封型绝缘筒内设有一加速筒,其中,所述加速筒具有两端,分别为第三开口端和第四密封端,在所述加速筒的内设有一靶片和一偏压电阻,所述靶片位于所述偏压电阻水平方向的左侧,所述靶片和所述偏压电阻连接,且所述偏压电阻与所述第二端连接,其中,在所述加速筒内设有一栅网,所述栅网与所述加速筒连接,所述栅网位于所述离子发生源与所述靶片之间,且所述栅网距离所述靶片的距离为一预设距离值。

2.根据权利要求1所述的中子发生器,其特征在于,所述中子发生器的尺寸为厘米级。

3.根据权利要求1所述的中子发生器,其特征在于,所述栅网的形状具体为:平面状,或弧面状。

4.根据权利要求1所述的中子发生器,其特征在于,所述栅网的孔形具体为:圆形,或四边形,或六变形。

5.根据权利要求1所述的中子发生器,其特征在于,所述栅网的孔尺寸为毫米级。

6.根据权利要求1所述的中子发生器,其特征在于,所述栅网具体为采用腐蚀法或电火花法制作。

7.根据权利要求1所述的中子发生器,其特征在于,所述栅网的材料具体为钼,或钽,或钨。

8.根据权利要求1所述的中子发生器,其特征在于,所述偏压电阻具体为固体陶瓷电阻,或薄膜电阻,或金属电阻。

9.根据权利要求1所述的中子发生器,其特征在于,所述栅网距离所述靶片的距离具体为0.7厘米。

10.根据权利要求1所述的中子发生器,其特征在于,所述第三开口端距离所述第一端的距离值大于所述第四密封端距离所述第二端的距离值。

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