[实用新型]一种用于多晶硅边角料除皮抛丸机的弹丸分离装置

说明书

技术领域

本实用新型主要涉及用于多晶硅边角料氧化皮抛丸的碎丸和灰尘分离装置。

背景技术

多晶硅生产的第一步是将石英砂在电弧炉中进行演练提纯到98%以上，该过程中得到98%以上的硅锭外层边角料，由于杂质含量较高，需要对表皮杂质层进行去除。通常采用抛丸机进行抛丸去除，但普通抛丸机对硅锭表皮抛丸后，表面仍有残余碎丸，造成抛丸不干净。更重要的是，随着抛丸的进行产生越来越多的碎丸和硅碎屑，使得抛丸效率低下。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术的不足，提供一种用于多晶硅边角料除皮抛丸机的弹丸分离装置，能有效对多晶硅边角料进行抛丸处理，效率高。

为实现以上的技术目的，本实用新型将采取以下的技术方案：一种用于多晶硅边角料除皮抛丸机的弹丸分离装置，该抛丸机包括抛丸室和设在底部的分离器，且通过斜坡式通道连通，所述分离器包括抽气区、碎丸筛选区和弹丸区，所述抽气区紧靠斜坡式通道，并通过抽风通道与斜坡式通道连通；所述碎丸筛选区和弹丸区为台阶式结构并沿斜坡式通道设在抽气区的下侧，且碎丸筛选区相对于弹丸区紧靠抽气区并处于上方；所述碎丸筛选区和弹丸区的台阶上均设有对应的网筛。

作为优选，所述斜坡式通道上设有能上下移动的调节挡板。

作为优选，所述抽风通道还连接有除尘设备。

作为优选，所述抽风区内设有抽风风机和吸气口，该吸气口设有调节挡板。

根据以上的技术方案，相对于现有技术，本实用新型具有以下的优点：通过分区式三级筛选结构，对丸砂幕进行筛选过滤去除碎丸和粉尘，从而提高多晶硅边角料的的抛丸效果和效率。

附图说明

图1是本实用新型所述抛丸机弹丸分离装置的结构示意图；

图中：抛丸室1、抽气区2、碎丸筛选区3、弹丸区4、斜坡式通道5、抽风通道6、网筛7、调节挡板8。

具体实施方式

附图非限制性地公开了本实用新型所涉及优选实施例的结构示意图；以下将结合附图详细地说明本实用新型的技术方案。

如图1所示，一种用于多晶硅边角料除皮抛丸机的弹丸分离装置，该抛丸机包括抛丸室和设在底部的分离器，且通过斜坡式通道连通，所述分离器包括抽气区、碎丸筛选区和弹丸区，所述抽气区紧靠斜坡式通道，并通过抽风通道与斜坡式通道连通；所述碎丸筛选区和弹丸区为台阶式结构并沿斜坡式通道设在抽气区的下侧，且碎丸筛选区相对于弹丸区紧靠抽气区并处于上方；所述碎丸筛选区和弹丸区的台阶上均设有对应的网筛。在斜坡式通道上设置一上下移动的调节挡板，从而使得丸砂通过抛丸室出来后形成厚度约20mm的丸砂幕，并通过调节挡板调节丸砂幕的厚度，抽风区内的风机设备进行吸气形成水平气流，将部分碎丸和废料沿抽风通道抽出，丸砂继续沿斜坡式通道下滑进入碎丸筛选区，通过碎丸筛选区内的网筛将碎丸进行筛选过滤后，进入到下一台阶的弹丸区进一步筛选，此时留下的是干净弹丸后，通过提升机再次返回到抛丸室对多晶硅边角料进行抛丸处理。另外，还可以在抽风通道设置除尘设备将粉尘排出，而抽风区的吸气口处同样可以设置调节挡板，从而调节气流大小，通常风速控制在4～5米/秒。